Modeling of threshold voltage in three-dimensional SOI-structures
| dc.contributor.author | Kogut, І. Т. | |
| dc.contributor.author | Scherbyak, V. М. | |
| dc.date.accessioned | 2011-02-14T14:15:23Z | |
| dc.date.available | 2011-02-14T14:15:23Z | |
| dc.date.issued | 2010 | |
| dc.description.abstract | This paper proposed an original approach to the analysis of the threshold voltage metal-oxidesemiconductor structures based on local three-dimensional SOI-structures. | uk_UA |
| dc.identifier.citation | Kogut І. Т. Modeling of threshold voltage in three-dimensional SOI-structures / І. Т. Kogut, V. M. Scherbyak // Сучасні проблеми радіоелектроніки, телекомунікацій, комп’ютерної інженерії : матеріали ХХ Міжнародної конференції TCSET2010, присвяченої 165-й річниці заснування Національного університету «Львівська політехніка», 23–27 лютого 2010 року, Львів, Славське, Україна / Національний університет «Львівська політехніка». – Львів : Видавництво Львівської політехніки, 2010. – С. 360. – Bibliography: 3 titles. | uk_UA |
| dc.identifier.uri | https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/7393 | |
| dc.language.iso | en | uk_UA |
| dc.publisher | Видавництво Львівської політехніки | uk_UA |
| dc.subject | SOI MOS-transistor | uk_UA |
| dc.subject | threshold voltage | uk_UA |
| dc.subject | three-dimensional SOI-structure | uk_UA |
| dc.subject | П-shaped profile gate | uk_UA |
| dc.subject | cylinder shaped gate | uk_UA |
| dc.title | Modeling of threshold voltage in three-dimensional SOI-structures | uk_UA |
| dc.type | Article | uk_UA |