Розрахунок профілів показників заломлення неоднорідних шарів на поверхні напівпровідникових кристалів, опромінених лазером

dc.contributor.authorКособуцький, П. С.
dc.contributor.authorДанилов, А. Б.
dc.contributor.authorПрокопчук, О. Л.
dc.date.accessioned2012-02-09T10:04:28Z
dc.date.available2012-02-09T10:04:28Z
dc.date.issued2000
dc.description.abstractПроаналізовано поверхневий шар монокристалів GaAs, опромінених лазерами інфрачервоного діапазону. Проаналізовано результати застосування різних моделей розрахунку параметрів плівки. На підставі проведеного аналізу визначено профіль показника заломлення та товщини поверхневих шарів.uk_UA
dc.identifier.citationКособуцький П. С. Розрахунок профілів показників заломлення неоднорідних шарів на поверхні напівпровідникових кристалів, опромінених лазером / П. С. Кособуцький, А. Б. Данилов, О. Л. Прокопчук // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2000. – № 397 : Електроніка. – С. 66–70. – Бібліографія: 4 назви.uk_UA
dc.identifier.urihttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/11440
dc.language.isouauk_UA
dc.publisherВидавництво Державного університету "Львівська політехніка"uk_UA
dc.titleРозрахунок профілів показників заломлення неоднорідних шарів на поверхні напівпровідникових кристалів, опромінених лазеромuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Files

Original bundle

Now showing 1 - 1 of 1
Thumbnail Image
Name:
12.pdf
Size:
1.36 MB
Format:
Adobe Portable Document Format