Електроніка. – 2000. – №397

Permanent URI for this collection

Вісник Національного університету "Львівська політехніка"

У Віснику опубліковані результати широкого спектра науково-технічних досліджень з експериментально-технологічних, теоретичних та методологічних проблем напівпровідникового матеріалознавства, фізики твердого тіла та рідких кристалів, фізики, техніки та використання елементів, приладів та систем сучасної електроніки. Для наукових працівників, інженерів і студентів старших курсів електрофізичних та технологічних спеціальностей. Тематика ВІСНИКА Державного університету «Львівська політехніка» «ЕЛЕКТРОНІКА» охоплює такі розділи електроніки: матеріали електронної техніки; фізика, технологія та виробництво елементів, приладів та систем електронної техніки; фізика і техніка напівпровідників, металів, діелектриків та рідких кристалів; експериментальні та теоретичні дослідження електронних процесів; методика досліджень; У віснику «ЕЛЕКТРОНІКА» публікуються оглядові та дослідницькі роботи, присвячені цій тематиці (але не обмежені лише нею). Роботи можуть бути представлені як співробітниками Львівської політехніки, так і будь-яких інших навчальних чи наукових закладів. Роботи друку- ються українською мовою.

Вісник Національного університету «Львівська політехніка» : [збірник наукових праць] / Міністерство освіти і науки України, Державний університет «Львівська політехніка» – Львів : Видавництво Державного університету «Львівська політехніка», 2000. – № 397 : Електроніка / відповідальний редактор Д. Заярчук. – 150 с. : іл.

Browse

Recent Submissions

Now showing 1 - 20 of 27
  • Item
    Експериментальне дослідження і моделювання струмових імпульсів від’ємної корони у потоці аргону та азоту із електровід’ємними домішками
    (Видавництво Державного університету "Львівська політехніка", 2000) Чигінь, В. І.
    Експериментально досліджені особливості пульсуючої від'ємної корони в потоках аргону та азоту із домішкою кисню в області об’ємних концентрацій від 2⋅10-3 до 21%. Виміряно залежності основних параметрів імпульсів від концентрації і швидкості газу при атмосферному тиску. Проведенo детальне моделювання нерівноважних процесів у розряді на основі розв'язання рівнянь неперервності для зарядів і рівняння Пуассона для електричного поля. Вперше отримано числово вторинні осциляції струму корони, пояснено їх природу і двоякий характер залежностей частоти основних імпульсів від концентрації електровід’ємних домішок. Experimental investigation and modeling of negative corona current pulses in flow of argon and nytrogen with electronegative admixtures, by Chyhin V. The experimental investigations of the negative pulsing corona features in flow of argon and nitrogen with oxygen admixture (2⋅10-3…21 %) have been carried out. There were measured the dependences of the main pulse parameters on the concentration and gas velocity at an ambient pressure. The detailed simulations of the unequilibrium processes in the corona discharge using the solutions of continuity equations for charges and the Poisson’s equation for electric field have been performed. For the first time the numerical model of the current pulse secondary oscillations has been obtained, their nature and the double character of main corona pulse frequence dependences on the electronegative admixture concentration has been explained.
  • Item
    Термодинамічні величини сильновиродженого електронного газу у шаруватих напівпровідниках
    (Видавництво Державного університету "Львівська політехніка", 2000) Товстюк, К. К.
    Розраховано термодинамічні величини сильновиродженого електронного газу в шаруватих кристалах (ШК) із врахуванням особливостей одночастинкового спектра. Отримано залежності термодинамічного потенціалу, ентропії, рівняння для визначення хімпотенціалу, які порівнюються з аналогічними виразами у кристалах з параболічною дисперсією. Показано, що температурна залежність розрахованих величин у ШК узгоджується із відомими для кристалів із парабоолічною дисперсією, в той час як параметри одночастинкового спектра та хімпотенціал визначаються зовсім іншими функціональними залежностями. The thermodynamic functions are calculated for the quantum electron gas in layered crystals, using the specification features of a one-partiсal spectrum there. The dependence of the rmodynamic potential, entropy, as well as the equation for Fermi level definition are found out and compared to similar expressions in isotropic crystals. Shown, that the temperature dependence of the designed expressions in LC are in agreement with the same ones for isotropic crystals, while parameters of an onepartical spectrum and Fermi level are defined by other functional dependence.
  • Item
    Експериментальне дослідження доменної структури в епітаксійних плівках залізо-іттрієвого гранату
    (Видавництво Державного університету "Львівська політехніка", 2000) Убізський, С. Б.
    У роботі за допомогою ефекту Фарадея спостерігалася структура магнітних доменів (111)-орієнтованих епітаксійних плівок залізо-іттрієвого гранату, що володіють малою одноосною магнітною анізотропією. Досліджено її особливості в тонких і товстих плівках, поведінку доменної структури під час перемагнічування, а також вплив країв плівки на формування і перемагнічування доменів. Using Faraday effect a structure of magnetic domains was being observed in the (111)-oriented epitaxial yttrium iron garnet films with a low uniaxial magnetic anisotropy. Their peculiarities in thin and thick films are studied as well as the domain structure behavior under magnetization and an influence of film’s edges on the formation and remagnetization of domains.
  • Item
    Елементи теорії термодинамічних та кінетичних властивостей матеріалів
    (Видавництво Державного університету "Львівська політехніка", 2000) Буджак, Я. С.; Готра, О. З.; Лопатинський, І. Є.
    У роботі обґрунтовані розрахункові алгоритми важливих термодинамічних та кінетичних властивостей кристалів з довільними законами дисперсії та довільними механізмами розсіювання носіїв заряду в омічній області провідності і в неквантуючому магнітному полі. The calculating algorithms of important thermodynamic and kinetic properties of crystals with arbitrary dispersion laws and arbitrary mechanisms of scattering of charge carriers in ohmic conductivity range and in non-quantumed magnetic field are considered in this paper.
  • Item
    Розсіювання світла на конфокальних доменах в індукованих холестериках
    (Видавництво Державного університету "Львівська політехніка", 2000) Микитюк, З. М.; Сушинський, О. Є.; Черпак, В. В.; Іваницький, В. Г.
    Досліджено розсіювання світла на конфокальних доменах індукованих холестериків під час холестерико-нематичного переходу. Представлена фізична модель зразка індукованого холестерика при накладанні електричного поля. Показано характер зміни доменної структури та вплив розмірів доменів на інтенсивність розсіювання. Експериментальні результати добре узгоджуються з математичною моделлю на основі теорії Релея-Ганса. The light scattering on confocal domains of induced cholesterics in process of cholestreric-nematic transition was investigated. The physical model of induced cholesterics under the action of electric field was proposed. The transformations of domain structure and influence of domain size on scattering intensity was shown. The experimental results are in a good agreement with mathematical model based on theory Reley-Gans.
  • Item
    Розрахунок профілів показників заломлення неоднорідних шарів на поверхні напівпровідникових кристалів, опромінених лазером
    (Видавництво Державного університету "Львівська політехніка", 2000) Кособуцький, П. С.; Данилов, А. Б.; Прокопчук, О. Л.
    Проаналізовано поверхневий шар монокристалів GaAs, опромінених лазерами інфрачервоного діапазону. Проаналізовано результати застосування різних моделей розрахунку параметрів плівки. На підставі проведеного аналізу визначено профіль показника заломлення та товщини поверхневих шарів.
  • Item
    Підвищення якості зображень в радіолокаційних системах з синтезованою апертурою
    (Видавництво Державного університету "Львівська політехніка", 2000) Клепфер, Є.; Прудиус, І.; Синявський, А.
    У статті запропоновано підхід до реконструкції радіолокаційних зображень, отриманих радіолокаційною системою з синтезованою апертурою. На основі розробленої моделі процесів формування зображення в таких системах, задачу реконструкції коректно представлено розв'язком двовимірного інтегрального рівняння. Охарактеризовано причину спотворень на радіолокаційних зображеннях. Досліджено залежність характеру цих спотворень від координат. На підставі введеного припущення про локальну інваріантність функції розсіювання точки представлено можливість ефективної реконструкції функції розсіюючої здатності за отриманим радіолокаційним зображенням. The approach for reconstruction of radar images obtained by the synthetic aperture radar system is proposed in the paper. On basis of our elaborated model of image formation processes in the systems the reconstruction problem was correctly established as two-dimensional integral equation solving. The cause of distortions on the radar images was specified. The coordinate dependence of the distortions was investigated. The efficient restoration possibility of scattered ability from obtained radar image was presented taking into account of the assumption about local invariance of point spread function.
  • Item
    Вплив іонізуючого випромінювання та температурних обробок на оптичні властивості кристалів YAlO3 та LiNbO3, легованих іонами d- та f-елементів
    (Видавництво Державного університету "Львівська політехніка", 2000) Жидачевський, Я. А.; Матковський, А. О.; Сугак, Д. Ю.; Савицький, Д. І.; Сольський, І. М.; Лутц, Г.; Працка, І.
    У статті представлені результати дослідження впливу гамма-опромінення та температурних обробок в окислюючій та відновлюючій атмосферах на оптичні властивості кристалів YAlO3 та LiNbO3. З’ясовується роль домішкових іонів (Nd, Er, Tm, Ho, Yb, Dy, Pr, Ce, Mn, Fe, Cr, Mg, Ca) в радіаційно- і термоіндукованих змінах оптичного поглинання досліджуваних кристалів. The paper presents the investigation results on influence of gamma irradiation and temperature treatments in oxidizing and reducing atmospheres on optical properties of YAlO3 and LiNbO3 crystals. The role of impurity ions (Nd, Er, Tm, Ho, Yb, Dy, Pr, Ce, Mn, Fe, Cr, Mg, Ca) in radiation and thermal induced changes of optical absorption of the crystals is studied.
  • Item
    Титульний аркуш до Вісника "Електроніка"
    (Видавництво Державного університету "Львівська політехніка", 2000)
  • Item
    Об'ємне моделювання процесів у холлівських пластинах в сильно неоднорідних магнітних полях
    (Видавництво Державного університету "Львівська політехніка", 2000) Большакова, І. А.; Бондарєв, А. П; Тихонюк, Р. Б.
    Наведений тривимірний комп'ютерний симулятор електромагнітних процесів, які відбуваються у холлівській пластині під дією магнітного поля. Симулятор дозволяє отримати повний тривимірний опис електромагнітних величин у прямокутній пластині. Результати можна використати для дослідження і проектування холлівських давачів з покращеними властивостями. Це дає також можливість досліджувати давачі Холла при впливі неоднорідних високоградієнтних магнітних полів. Three-dimensional computer simulator of electromagnetic processes in a Hall plate under the magnetic field influence is presented. The simulator allows obtaining full spatial description of electromagnetic quantities in a bar plate. The results may be used for studying and designing the Hall sensors with improved parameters. It also allows studying the Hall sensors under the inhomogeneous high-gradient magnetic fields.
  • Item
    Товстоплiвковi конденсатори на iзоляцiйних пастах
    (Видавництво Державного університету "Львівська політехніка", 2000) Смеркло, Л.; Дячок, Д.; Кучмій, Г.
    Розглянуто дослідження та виготовлення товстоплівкових конденсаторів на ізоляційних пастах взамін конденсаторних паст з метою підвищення робочої напруги. The problem of investigation and production of thick-film capacitors on isolative pastes instead of capacitive pastes was considerend with the aim of operational voltage increase.
  • Item
    Часові кореляційні функції багатокомпонентної рідкої суміші магнітних та немагнітних частинок
    (Видавництво Державного університету "Львівська політехніка", 2000) Бацевич, О. Ф.; Мриглод, І. М.; Рудавський, Ю. К.; Токарчук, М. В.
    Проаналiзовано структуру гiдродинамiчної матрицi сумiшi магнiтних та немагнiтних частинок і запропоновано узагальнення, що дає можливість вивчення гiдродинамiки багатокомпонентної сумiшi. Методом матричної теорiї збурень знайдені колективні моди, з яких 2 – звуковi, решта m – дисипативні, де m визначається кількістю аддитивних iнтегралiв руху. Знайденi аналiтичнi вирази для часових кореляцiйних функцiй системи і для випадку двокомпонентної сумiшi наведені вирази для динамiчних структурних факторiв. The structure of hydrodynamic matrix of a mixture of magnetic and nonmagnetic particles was analyzed, and generalization which allows to consider the hydrodynamics of a multicomponent mixture was proposed. By the means of matrix perturbation theory the collective modes were found, two of which are sound and the rest m – dissipative, where m is determined by the number of additive integrals of motion. The analytical expressions for time correlation functions were derived and for the case of binary mixture expressions for the dynamical structure factors presented.
  • Item
    Нестійкості формування локально розплавлених областей на поверхні напівпровідників у зонах дії лазерних імпульсів
    (Видавництво Державного університету "Львівська політехніка", 2000) Бончик, О. Ю.; Дацко, Б. Й.; Демчук, В. І.; Кияк, С. Г.; Паливода, І. П.; Шнир, А. Ф.
    Встановлені такі особливості нагрівання напівпровідників під дією імпульсів лазерного випромінювання мілісекундного і секундного діапазонів: (i) в електронно-дірковій плазмі, генерованій лазерним випромінюванням, може відбуватись спонтанне розшарування температури кристалічної ґратки і концентрації носіїв заряду. При цьому виникає додатний зворотний зв’язок між температурою кристалічної ґратки і концентрацією носіїв заряду в області їх флуктуації, який призводить не тільки до підсилення початкових флуктуацій температури, але й до формування в напівпровідниках квазіперіодичних температурних полів великої амплітуди. Неоднорідні температурні поля визначають особливості процесів плавлення, кристалізації і формування рельєфу поверхні напівпровідників в зонах дії лазерного випромінювання; (ii) при дії однорідного лазерного випромінювання з допороговою потужністю (нижчою від значення густини світлового потоку, при якому відбувається однорідне плавлення поверхневого шару напівпровідника) на поверхні кристалів формуються локально розплавлені області. Форма локально розплавлених областей однозначно пов’язана з кристалографічною орієнтацією поверхні напівпровідника. Laser modifications of semiconductors is often performed by pulsed rapid melting and subsequent resolidification. Recently melt instabilities have been found witch result in local melting of semiconductor surfaces. We determined that a spontaneous segregation of a uniform state of temperature of a crystal lattice and charge carrier concentration can take place in electron-hole plasma, generated by laser radiation. Besides, there exists a positive opposite connection between the temperature of a crystal lattice and charge carrier concentration in the region of their fluctuation. It causes both amplification of original fluctuations of temperature and generation of Lviv Polytechnic quasi-periodic temperature fields of large amplitude in semiconductors. The nonuniform temperature fields determine the features of the surface relief formation in the zone of the laser radiation action.
  • Item
    Модифікований індукційний давач ядерного магнітного резонанса для спектрометра широких ліній
    (Видавництво Державного університету "Львівська політехніка", 2000) Хандожко, О. Г.; Слинько, Є. І.
    Модифікована форма приймальної котушки індукційного давача ЯМР так, що її профіль щодо високочастотного (в.ч.) поля Н1 та поля модуляції Нм є максимально симетричним і має мінімальну площу. Завдяки цьому послаблюється наведена в.ч. напруга з передавача на вхід спектрометра не менше ніж на 100 дБ. Використання модифікованого давача дозволило досліджувати спектри ЯМР ізотопів 207Pb, 119Sn та 125Te в напівпровідниках типу А4В6. The shape of the receiving coil of the inductive sensor is modified in such a way that its profile concerning a high-frequency field H1 and modulation field Hm is maximally symmetrical and has the minimum area. Due to this the induced highfrequency voltage from the transmitter on an input of a spectrometer is attenuated, not less than on 100 dB. The application of the modified sensor has allowed to explore NMR spectra of 207Pb, 119Sn, 125Te isotopes in semiconductors of A4B6 type.
  • Item
    Дослідження та аналіз стабільності інтегрального низьковольтного джерела опорної напруги
    (Видавництво Державного університету "Львівська політехніка", 2000) Голяка, Р. Л.; Єрашок, В. Е.; Максимів, І. В.
    Розглянуто результати розробки інтегрального низьковольтного джерела опорної напруги на принципі формування напруги, яка числово дорівнює ширині забороненої зони кремнію. Проведено дослідження та аналіз стабільності дже- рела при зміні температури та напруги живлення. Results of development are discussed concerning the low-level reference voltage source based on the principle of forming a potential equivalent to the silicon bandgap width. Investigations are performed and analysis is carried out at changing temperature and supply voltage.
  • Item
    Зміна енергії локалізованих електронних станів кристала з дислокацією під дією електричного поля
    (Видавництво Державного університету "Львівська політехніка", 2000) Баран, М. М.; Пелещак, Р. М.
    У межах електрон-деформаційної моделі показано, що енергія локалізованих електронних станів кристала з крайовою дислокацією зі зростанням електричного поля зростає у випадку, коли вектор напруженості електричного поля ε збігається з напрямком електрон-деформаційного дипольного моменту Pel-d. У разі коли напрямки ε і Pel-d не збігаються, існує протилежний ефект. In the framework of electron-deformation model it is shown, that the energy of localized electron states in crystal with edge dislocation increases with the growth of electric field in the case that directions of electric field vector ε and vector of electrondeformation dipole moment Pel-d coincide. Opposite effect takes place if these vectors do not coincide.
  • Item
    Про важливість базисного врахування остовно-валентних кореляцій в задачі про електронний енергетичний спектр напівпровідників
    (Видавництво Державного університету "Львівська політехніка", 2000) Cиротюк, С. В.; Кинаш, Ю. Є.; Краєвський, С. Н.
    Розраховані електронні енергетичні зони GaP у наближенні функціоналу локальної електронної густини. Матриця гамільтоніану обчислювалась у змішаному базисі, який включає функції Блоха глибоких електронів та плоскі хвилі. Отримані зонні енергії краще узгоджуються з експериментом, ніж розраховані за методом атомних апріорних псевдопотенціалів. Зроблений висновок про важливість врахування в розрахунках енергетичних зон напівпровідників остовновалентних кореляцій. The electronic energy bands of GaP have been evaluated by means of the local electronic density functional approximation. The Hamiltonian matrix has been calculated on mixed basis including the core Bloch states and plane waves. The band energies obtained here are in better agreement with experiment than ones calculated within the atomic normconserving ab initio pseudopotential approach. The conclusion about importance of the core-valence correlation accounting in the energy band calculations has been made.
  • Item
    Вплив лазерно-індукованих ударних хвиль на електрофізичні параметри HG1-xCDxTE (х=0.2)
    (Видавництво Державного університету "Львівська політехніка", 2000) Яковина, В. С.; Нікіфоров, Ю. М.; Берченко, М. М.
    Об'ємні монокристали Hg0.8Cd0.2Te n-типу обробляли лазерно-індукованими ударними хвилями (ЛУХ) без термічного впливу. Показано, що зміни концентрації носіїв заряду становлять до 120 %, а їх рухливості до 45 % від вихідної. Пропонується пояснення цих змін взаємною дією трьох механізмів взаємодії ЛУХ з дефектною підсистемою кристалів Hg1-XCdXTe. Bulk n- Hg0.8Cd0.2Te samples were treated using laser induced shock waves (LSW) without thermal effects. It is shown that the carrier density changes up to 120 % and their mobility changes up to 45 %. Three mechanisms of interaction between LSW and bulk Hg1-XCdXTe defect subsystem are given.
  • Item
    Плівкові сенсори для вимірювання температури і теплового потоку
    (Видавництво Державного університету "Львівська політехніка", 2000) Готра, О. З.; Стадник, Б. І.; Тимчишин, М. В.
    Розроблено мініатюрні сенсори температури і теплового потоку на основі тонких плівок AgCuSe (n-тип) і Ag0,4Cu1,6Se (p-тип), який забезпечує вимірювання температури в діапазоні 300…410 К і теплового потоку в діапазоні 10-10…103 Вт, інерційність сенсора 0,7–2,5 с. Miniature temperature and thermal flow sensors based on AgCuSe (n-type) and Ag0,4Cu1,6Se (p-type) thin films that provide the measurement of temperature in the range of 300…410 К and thermal flow in the range of 10-10…103 W, sensor inertiality of 0,7–2,5 s are elaborated.
  • Item
    Легкі дірки в CdxHg1-xTe
    (Видавництво Державного університету "Львівська політехніка", 2000) Іжнін, І. І.
    У роботі експериментально визначено параметри важких та легких дірок (концентрацію та рухливість) в однорідних зразках р-CdxHg1-xTe (х=0,2-0,23) на основі дослідження польових залежностей коефіцієнта Холла та порівняно з результатами теоретичних розрахунків концентрацій на основі сучасних уявлень про параметри матеріалу. Отримані дані про параметри легких дірок дають можливість врахувати вплив цих носіїв на явища переносу в багатошарових структурах на основі CdxHg1-xTe. The parameters of heavy and light holes (concentration and mobility) for homogeneous samples of р-CdxHg1-xTe (х=0,2-0,23) were determined from investigation of the Hall coefficient field dependencies. These data have been compared with results of theoretical computations based on the modern knowledge of the material’s parameters.