Generation of defects in Р-N-junctions that are made from GaАs and GаАlAs after the X-ray irradiation

dc.contributor.authorIrkha, Vasily
dc.contributor.authorGorbachev, Victor
dc.contributor.authorMikhalaki, Valeriy
dc.date.accessioned2012-08-27T13:54:12Z
dc.date.available2012-08-27T13:54:12Z
dc.date.issued2012
dc.description.abstractThe process of generation and reproduction of dark-patch defects in GaAs and GaAlAs p-n-junctions after the X-ray irradiation are considered.uk_UA
dc.identifier.citationIIrkha V. Generation of defects in Р-N-junctions that are made from GaАs and GаАlAs after the X-ray irradiation / Vasily Irkha, Victor Gorbachev, Valeriy Mikhalaki // Сучасні проблеми радіоелектроніки, телекомунікацій, комп’ютерної інженерії : матеріали ХІ Міжнародної конференції TCSET2012, присвяченої 60-річчю заснування радіотехнічного факультету у Львівській політехніці, 21-24 лютого 2012 року, Львів, Славське, Україна / Національний університет «Львівська політехніка». – Львів : Видавництво Львівської політехніки, 2012. – С. 499–500. – Bibliography: 3 titles.uk_UA
dc.identifier.urihttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/13938
dc.language.isoenuk_UA
dc.publisherВидавництво Львівської політехнікиuk_UA
dc.subjectp-n-junctionuk_UA
dc.subjectimpurity centreuk_UA
dc.subjectdark-patch defectsuk_UA
dc.subjectX-ray irradiationuk_UA
dc.titleGeneration of defects in Р-N-junctions that are made from GaАs and GаАlAs after the X-ray irradiationuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Files

Original bundle

Now showing 1 - 1 of 1
Thumbnail Image
Name:
353.pdf
Size:
103.07 KB
Format:
Adobe Portable Document Format

License bundle

Now showing 1 - 1 of 1
No Thumbnail Available
Name:
license.txt
Size:
2.06 KB
Format:
Item-specific license agreed upon to submission
Description: