Дослідження початкової стадії накопичення дефектів у кремнієвих структурах з p-n переходом під дією лазерних ударних хвиль

Abstract

Експерментально досліджено процес генерації ЕРС під дією лазерних ударних хвиль малої амплітуди у кремнієвих структурах з p-n переходом на початковій стадії накопичення дефектів в інтервалі температур 295-345К за товщини товстого мідного екрана 1-4 мм. Густини потоку лазерного випромінювання регулювали в межах 108 –109 Вт/см2. Показано, що метод заснований на генерації ЕРС лазерною ударною хвилею в комплексі з вивченням явища фотоефекту, є ефективним інструментом дослідження початкової стадії змін електронних властивостей та дефектоутворення у напівпровідникових матеріалах за умови врахування фізико-технічних особливостей генерації лазерних ударних хвиль. The generation of the EMF in silicon structure with p–n junction protected with 1 – 4 mm heat screen at the temperature 295 – 345 K in Laser Shock Waves (LSW) processing was observed. Power density laser source was 108 – 109 Wt/sm2. The initial stage of the defects accumulation in under Laser Shock Waves action was investigated. The character of observed changes of the EMF generated by weak LSW was analyzed. The analysis show that the EMF generated by LSW together with photo-effect may be effective method for study of defect forming and electronic properties at the initial stage of LSW process in semiconductors.