Електроніка. – 2007. – №592
Permanent URI for this collection
Вісник Національного університету "Львівська політехніка"
У Віснику опубліковані результати наукові-технічних досліджень у галузі технологічних, експериментальних, теоретичних та методологічних проблем електроніки та оптоелектроніки, фізики і техніки напівпровідників та напівпровідникового матеріалознавства, фізики твердого тіла, фізики, техніки та використання елементів, приладів та систем сучасної електронної техніки. Тематика Вісника Національного університету “Львівська політехніка” “Електроніка” охоплює такі розділи електроніки: матеріали електронної техніки; фізика, технологія та виробництво елементів, приладів та систем електронної техніки; фізика і техніка напівпровідників, металів, діелектриків та рідких кристалів; експериментальні та теоретичні дослідження електронних процесів; методика досліджень. У Віснику “Електроніка” публікуються оглядові та дослідницькі роботи, присвячені його тематиці (але не обмежені лише нею). Роботи можуть подавати як співробітники Львівської політехніки, так і будь-яких інших навчальних чи наукових закладів. Роботи авторів з України друкуються українською мовою. Для наукових працівників, інженерів і студентів старших курсів електрофізичних та технологічних спеціальностей.
Вісник Національного університету «Львівська політехніка» : [збірник наукових праць] / Міністерство освіти і науки України, Національний університет «Львівська політехніка» – Львів : Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2007. – № 592 : Електроніка / відповідальний редактор Д. Заярчук. – 184 с. : іл.
Browse
Recent Submissions
Item Ефекти блокування лімітуючої негельмгольцевої ємності в напористих і нанокомпозитних структурах та їх застосування для створення зміннострумових суперконденсаторів(Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2007) Григорчак, І. І.; Каліцінський, В. З.; Ріпецький, Є. Й.; Міцов, М. М.Запропоновано підхід до вирішення задачі зниження тангенса кута втрат конденсаторів з подвійним електричним шаром (ПЕШ). Для цього як електродні матеріали використовують активований вуглецевий матеріал з фрактальною графітовою сіткою, нанодисперсний вуглець та вуглець-кремнеземовий нанокомпозит з внутрішньоагре- гованою С-ізоляцією. Електролітами слугують 32% водний розчин гідроксиду калію та одномолярний розчин тетраетиламонію тетрафторборату в γ-бутиролактоні. Імпедансні виміри та дослідження циклічної вольтамперометрії свідчать про високе значення питомої ємності при тангенсі кута втрат, меншому від 1 в низькочастотному інтервалі. В роботі пропонується теоретична модель, яка розкриває механізм розблокування гельмгольцевої ємності. In this work an approach to the task solution of the decrease in dissipation factor of capacitor with double electric layer (DEL) is offered. For this propose activated carbon with fractal graphite grid, nanoscale carbon and SiO2-C nanocomposite with internal aggregated Cisolation are used as a basis for electrode materials. 32% aqueous solution of KOH and 1 M solution of Tetraethyl-Ammonium-Tetrafluoro-Borate in γ -butyrolactone serve as electrolytes. Impedance measurements and cyclic volt amperometric studies are evidence of high profile of permittivity when dissipation factor is less than 1 in low-frequency slot. A theoretical model that exposes the mechanism of deblocking of the Helmholtz’s capacitance is offered in our work.Item Структура та електричні властивості тонких плівок Bi2Te3, Sb2Te3 та надструктур Bi2Te3 / Sb2Te3, отриманих імпульсним лазерним осадженням(Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2007) Курило, І. В.; Рудий, І. О.; Лопатинський, І. Є.; Фружинський, М. С.; Вірт, І. С.; Шкумбатюк, Т. П.Тонкі плівки Bi2Te3, Sb2Te3 та надрешітки Bi2Te3 / Sb2Te3 змінної товщини отримано за допомогою імпульсного лазерного осадження. Плівки осаджували на підкладки Al2O3 та KCl у вакуумі 1×10-5 мм. рт. ст. за температур 453–523 K. Товщина плівок становила 0.5–1 мкм. Досліджено структуру об’ємного матеріалу мішеней за допомогою методу рентгенівської дифрактометрії. Структуру отриманих плівок досліджено за допомогою методу дифракції електронів високої енергії на просвіт. Питомий опір плівок різної товщини вимірювали в температурному інтервалі 77–300 K. Thin films Bi2Te3, Sb2Te3 and superlattices structures Bi2Te3 / Sb2Te3 of different thickness have been prepared on Al2O3 and KCl substrate in vacuum of 1×10-5 Torr by pulsed laser deposition. Samples were obtained when the substrate temperature was 453–523 K. A thickness of films obtained in the range of 0.5–1 μm, depending on a number of shots. The structure of bulk materials of target was investigated by X-ray diffraction method. The structure of laser deposited films was investigated by transmission high-energy electron diffraction method. Electrical resistivity was measured in the temperature range 77–300 K.Item Оптимізація режиму роботи джозефсонівських кріотронів(Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2007) Тиханський, М. В.; Партика, А. І.Запропоновано метод оптимізації режиму роботи джозефсонівських кріотронів (ДК) під час керування їхнім логічним станом імпульсами струму. Існуюча математична модель перехідних процесів в джозефсонівських кріотронах дає можливість отримати перехідні характеристики під час зміни логічного стану. Проте оптимізувати режим роботи кріотронів через велику кількість параметрів у моделі є складним завданням. Запропонований нами метод оптимізації, який полягає в розрахунках не тільки перехідних характеристик кріотронів, а також і часових залежностей складових загального струму в кріотроні, дав змогу дослідити вплив кожної складової струму на перехідні процеси і визначити ті параметри моделі, які безпосередньо впливають на логічні переходи. In the paper, we propose a method of operation mode optimization of Josephson cryotrons (JC) during the regulation of their logic-state by current impulses. The existing mathematical model of transitional processes in Josephson cryotrons allows us to obtain transitional charachteristics during the change in cryotrons' logic-state. However, to carry out the operation mode optimization of cryotrons remains a hard task due to the large number of the model's parameters. The proposed optimization method consisting in calculating not only the transitional charachteristics of cryotrons, but also the timedependences of the total current components in a cryotron allowed us to investigate the influence of each current component on the transitional processes and determine those parameters, which have a direct influence on logic-state transitions.Item Особливості технології вирощування мікрокристалів твердого розчину InAs1-XSbX з газової фази(Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2007) Большакова, І. А.; Кость, Я. Я.; Макідо, О. Ю.; Шуригін, Ф. М.Наведено результати, отримані під час розроблення технології вирощування мікрокристалів твердого розчину InAs1-XSbX за механізмом пара–рідина–кристал (ПРК- механізмом) методом газотранспортних реакцій. Визначено залежність складу вирощених мікрокристалів від температурного режиму процесу вирощування. За розробленою технологією було вирощено мікрокристали InAs1-XSbX, в яких вміст InSb становив 4 мол.% та 16 мол.%. Проведені дослідження показали можливість одержання мікрокристалів твердого розчину InAs1-XSbX з газової фази в хлоридній системі. Results obtained while developing the technology of growing InAs1-XSbX solid solution microcrystals by chemical transport reactions method in conjunction with VLS-mechanism are represented. Composition dependence of the microcrystals grown upon the thermal conditions of the growth process is determined. InAs1-XSbX microcrystals with InSb content of 4 molar % and 16 molar % have been grown by means of the technology developed. The conducted research demonstrated the possibility of growing InAs1-XSbX solid solution microcrystals by chemical vapor deposition in chloride system.Item Технология получения наноразмерных феррогранатов состава (YCa)3Fe5O12(Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2007) Булатова, А. Н.; Трутнев, Н. С.; Булатов, М. Ф.С использованием криохимической технологии были получены нанодисперсные порошки феррогранатов иттрия с иновалентным замещением Са. Использование данной технологии позволило снизить температуру спекания Y2,9Ca0,1Fe5O12. Установлено, что самопроизвольная намагниченность насыщения образцов состава Y2,9Ca0,1Fe5O12, получен- ных по данной технологии ниже, чем у образцов, полученных твердофазным синтезом. Using cryo-chemical technique we obtained nano-dispersed powders of iron garnets with hetero-valent substitution by Ca ions. Usage of this technique allows to reduce the agglomeration temperature of Y2,9Ca0,1Fe5O12. It was established that saturation magnetization of Y2,9Ca0,1Fe5O12 samples fabricated under this technology is lower than of samples manufactured by solid state synthesis.Item Зміст до до Вісника "Комп'ютерні системи проектування. Теорія і практика"(Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2007)У Віснику опубліковані результати наукові-технічних досліджень у галузі технологічних, експериментальних, теоретичних та методологічних проблем електроніки, фізики і техніки напівпровідників та напівпровідникового матеріалознавства, фізики твердого тіла, фізики, техніки та використання елементів, приладів та систем сучасної електронної техніки. Тематика вісника Національного університету “Львівська політехніка” “Електроніка” охоплює такі розділи електроніки: матеріали електронної техніки; фізика, технологія та виробництво елементів, приладів та систем електронної техніки; фізика і техніка напівпровідників, металів, діелектриків та рідких кристалів; експериментальні та теоретичні дослідження електронних процесів;методика досліджень; У Віснику “Електроніка” публікуються оглядові та дослідницькі роботи, присвячені його тематиці (але не обмежені лише нею). Роботи можуть бути представлені як співробітниками Львівської політехніки, так і будь-яких інших навчальних чи наукових закладів. Роботи авторів з України друкуються українською мовою. Для наукових працівників, інженерів і студентів старших курсів електрофізичних та технологічних спеціальностей.Item Вплив параметрів холестеричних рідких кристалів на смугу селективного відбивання світла в РЗЗ-лазерах(Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2007) Микитюк, З. М.; Фечан, А. В.; Ясиновська, О. Й.Наведено результати теоретичних й експериментальних досліджень спектрів селективного відбивання холестеричних рідких кристалів. Проведено моделювання коефіцієнта відбивання для різних параметрів зразків. Досліджено залежність коефіцієнта відбивання від товщини зразка і двопроменезаломлення. Отримані результати показують, що для забезпечення високого коефіцієнта відбивання товщина зразка має становити не менше ніж 10 кроків спіралі. У випадку меншої товщини треба використовувати матеріали з високою величиною двопроменезаломлення (0,3 ÷ 0,4). The results of theoretical and experimental researches of the spectrums of selective reflection of cholesteric liquid crystals are represented. The modelling of reflection coefficient for different parameters of sample is carried out. The dependences of reflection coefficient from the sample thickness and the birefringence are investigated. The got results are shown, that for providing of high reflection coefficient, the sample thickness is to make not less than 10 pitches of spiral. In the case of less thickness it follows to use materials with the high size of birefringence (0,3 ÷ 0,4).Item Моделювання процесів предачі енергії збудження іонів Yb3+ до іонів домішок у лазерному кристалі(Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2007) Мартинюк, Н. В.; Фагундес-Петерс, Д.; Петерман, К.; Убізський, С. Б.; Бурий, О. А.Проаналізовано процеси передачі енергії збудження в лазерному кристалі, активованому іонами Yb3+. Розглядаються три моделі, що містять двочастинкову передачу (від активного центра до домішки), тричастинкову (від двох активних до одного домішкового іона) та двох механізмів одночасно. Для кожного з трьох випадків описано особливості кінетики спонтанної люмінесценції активного іона, а також залежності квантової ефективності від амплітуди імпульсу збудження, що дає змогу за вимірюваннями цих характеристик класифікувати процеси передачі енергії, що відбуваються в кристалі. The excitation energy transfer processes in laser crystals doped with Yb3+ ions are analyzed in this work. Three models are considered including two-particles transfer (from the active center to impurity ion), three-particles cooperative transfer (from two active centers to impurity ion) and the case of both mechanisms simultaneously. Peculiarities of the active ion luminescence decay kinetics as well as a dependence of quantum efficiency on the excitation pulse amplitude are described for each case that allows classifying the energy transfer processes being held in the crystal from measurements of these characteristics.Item Особливості вирощування епітаксійних плівок ферит-гранатів з субмікронними ЦМД(Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2007) Юр’єв, С. О.; Юрчишин, П. І.; Ющук, С. І.Для зменшення швидкості росту МПФГ з ЦМД, покращання технологічності та відтворюваності їх магнітних параметрів при багатопозиційному методі отримання запропоновано ферит-гранатову систему 3 5 12 (Y,Sm,Ca,Bi) (Fe,Ge,Si) O та розчинник 2 3 3 PbO − Bi O −MoO і встановлені молярні співвідношення між оксидами у вихідній шихті. Використання розчинника 2 3 3 PbO − Bi O −MoO дало змогу понизити температуру наси- чення розплавів до 1151...1189 К, температуру росту МПФГ до 1048...1103 К та швидкість росту плівок до 0,10...0,60 мкм/ хв . За допомогою введення до складу шихти оксиду вісмуту 2 3 Bi O отримано задовільні вищі значення полів одновісної магнітної анізотропії H E K = 1800...3150, температури Кюрі T K K = 483...513 з одночасним покращанням контрастності доменів за рахунок збільшення вмісту в МПФГ іонів Bi3+ . Наявність в шихті оксиду кремнію 2 SiO зменшує неузгодження параметрів решіток плівок та підкладок до значень Δa = −5 ⋅10−3... + 9 ⋅10−3 Å. Встановлені інтервали вмісту оксидів в шихті відповідають оптимальним магнітним параметрам та їх відтворюваності у вирощених МПФГ. For decreasing of speed growing of MFGF with BCD, the improvement of technologicalness and reproduction of their magnetic parameters at the multiposition method of reception the ferro-garnet system 3 5 12 (Y,Sm,Ca,Bi) (Fe,Ge,Si) O and solvent 2 3 3 PbO − Bi O − MoO are offered and molar correlations between oxides in an initial charge are set. The usage of 2 3 3 PbO − Bi O − MoO solvent allowed to reduce the temperature of liquid phase saturation to 1151...1189 K, the temperature growth of MFGF to 1048...1103 K and the films speed growing to 0,10...0,60 μm/min. The intercalation in to the composition of charge of bismuth oxide 2 3 Bi O allowed to get the satisfactory higher values of uniaxial magnetic anisotropy fields H Oe K = 1800...3150 , Curie temperature T K K = 483...513 with the simultaneous improvement of domain contrasting at the expense of increase of Bi 3+ ions contents in MFGF. A presence in the charge of silicon oxide 2 SiO decreases the mismatch of films and substrates grates parameters to the values of Δa = −5 ⋅10−3... + 9 ⋅10−3 Å. The determined intervals of oxides contents in the charge correspond to optimum magnetic parameters and their reproduction in growing of MFGF.Item Вплив технологічних параметрів осадження на кристалічну структуру тонких плівок CdTe, вирощених методом імпульсного лазерного напилення(Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2007) Савчук, В.Досліджено вплив параметрів осадження в вакуумній камері (температура підкладки, тип підкладки) на формування кристалічної структури тонких плівок CdTe, вирощених методом імпульсного лазерного напилення. На основі аналізу результатів рентгено-дифракційних та електронно-мікроскопічних досліджень плівок CdTe, вирощених при різних параметрах осадження, встановлено, що основним фактором, який визначає кристалічний стан плівок, є температура підкладки. Effect of technological condensation parameters into vacuum chamber, such as substrate temperature and substrate type on crystalline structure of CdTe thin films grown by Pulsed Laser Deposition were studied. Examinations of CdTe thin films grown at various condensation parameters by X-ray diffraction and electron-diffraction methods were carried out. As a result, it was established that the substrate temperature is main parameter, which determines a crystallinity of grown films.Item Морфологія і структурнадосконалість кристалів PbI2 в зв'язку з умовами їх росту(Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2007) Курило, І. В.; Рибак, О. В.Подано результати дослідження морфології та структури кристалів PbI2, одержаних із парової фази в закритій системі. Залежно від технологічних умов вирощування одержано такі типи кристалів: пластинчасті, смужкові, голчасті, двійникові, дендритні утворення, полікристали, а також їхні комбінації та зростки. Data are presented on the and structural perfection of PbI2 crystals grown from the vapor phase in a closed system. By varying growth conditions, platelike, ribbon, needle, twinned, and dendritic crystals were prepared, as well as combinations and intergrowths of these habits.Item Дослідження початкової стадії накопичення дефектів у кремнієвих структурах з p-n переходом під дією лазерних ударних хвиль(Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2007) Ковалюк, Б. П.; Нікіфоров, Ю. М.Експерментально досліджено процес генерації ЕРС під дією лазерних ударних хвиль малої амплітуди у кремнієвих структурах з p-n переходом на початковій стадії накопичення дефектів в інтервалі температур 295-345К за товщини товстого мідного екрана 1-4 мм. Густини потоку лазерного випромінювання регулювали в межах 108 –109 Вт/см2. Показано, що метод заснований на генерації ЕРС лазерною ударною хвилею в комплексі з вивченням явища фотоефекту, є ефективним інструментом дослідження початкової стадії змін електронних властивостей та дефектоутворення у напівпровідникових матеріалах за умови врахування фізико-технічних особливостей генерації лазерних ударних хвиль. The generation of the EMF in silicon structure with p–n junction protected with 1 – 4 mm heat screen at the temperature 295 – 345 K in Laser Shock Waves (LSW) processing was observed. Power density laser source was 108 – 109 Wt/sm2. The initial stage of the defects accumulation in under Laser Shock Waves action was investigated. The character of observed changes of the EMF generated by weak LSW was analyzed. The analysis show that the EMF generated by LSW together with photo-effect may be effective method for study of defect forming and electronic properties at the initial stage of LSW process in semiconductors.Item Вплив часткових заміщень компонентів на кристалічну структуру сполук серії M2Cu2O3-CuO2(Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2007) Заремба, О. І.; Гладишевський, Р. Є.Синтезовано шаруваті купрати серії (Ca,Sr)2Cu2O3-CuO2 з частковим заміщенням Ca та Sr на Gd, Dy, Er або Yb(Y). Методом рентгенівського дифракційного аналізу полікристалічних зразків виявлено, що розчинність рідкісноземельних металів у сполуці (Ca6Sr8)Cu24O41 є обмеженою (до вмісту 2–4 атоми на формульну одиницю), як і Sb, Sn, In, Ge та Ga (до вмісту 0,24 атома на формульну одиницю). У структурі сполуки (Ca6Sr8)Cu24O41 атоми Cu можна замістити на атоми Ni до складу (Ca6Sr8)Cu23Ni1O41, тоді як при заміщенні на Co граничним є склад (Ca6Sr8)Cu18Co6O41, при якому спостерігається ущільнення атомних шарів у структурі та видовження ланцюгів квадратів CuO4. The layered cuprates of (Ca,Sr)2Cu2O3-CuO2 series with partial substitution of Ca and Sr by Gd, Dy, Er or Yb(Y) were obtained. X-ray powder diffraction analysis indicated that solubility of rare-earth metals in (Ca6Sr8)Cu24O41 compound is limited (up to 2-4 atoms per unit cell), as well as Sb, Sn, In, Ge and Ga (up to 0,24 atom per unit cell). The Cu atoms in the structure of (Ca6Sr8)Cu24O41 compound can be replaced by Ni atoms up to compositio (Ca6Sr8)Cu23Ni1O41, whereas at substitution by Co the limited composition is (Ca6Sr8)Cu18Co6O41, where the compression of the atomic layers and extension of chains of CuO4 squares take place.Item Структура та оптичні властивості прозорих електропровідних плівок на основі BaCuTeF(Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2007) Готра, З. Ю.; Тейт, Д. Ж.; Дутчак, З. А.; Закутаєв, А. А.; Ракобовчук, Л. М.; Яворський, Б. М.; Кікінеші, Р.Методом імпульсного лазерного напилення отримано плівки BaCuTeF. Досліджено вплив температури відпалу на їхні структуру та оптичні властивості. У результаті досліджень показано можливість застосування BaCuTeF для отримання високоякісних прозорих електропровідних плівок р-типу. BaCuTeF films were prepared by the pulsed laser deposition method. The influence of the annealing temperature on the structure and optical properties was investigated. As a result of this research the possible application of BaCuTeF for creating high-quality transparent conducting p-type thin films was shown.Item Гіротропія і параметри циркулярних екситонів у кристалах α-ТеО2(Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2007) Довгий, Я. О.; Кость, Я. П.; Маньковська, І. Г.; Сольський, І. М.У структурі фундаментального спектра парателуриту виявлено екситонну смугу (А-смуга), відповідальну за дисперсію поворотної здатності в області прозорості та у прикрайовій області спектра (hν < Eg). Визначено параметри гіроактивного осцилятора: енергію дисоціації Gex = 115 меВ та екситонний радіус rex = 8,0 Å. Той факт, що rex виявився близьким до параметра гратки с ланцюжкової структури ТеО2, вказує, що у парателуриті, вірогідно, маємо справу з екситонами проміжного радіуса. In the structure of fundamental spectrum of paratellurite an exciton band (A-band) accountable for dispersion of optical rotation in the transparent region and in the region of absorption edge is fined (hν < Eg). The parameters of optically active oscillator are definite: dissociation energy Gex = 115 meV and exciton radius rex = 8,0 Å. Circumstance that rex turned out near to the lattice parameter c of TeO2 chain structure, indicates that in paratellurite, more reliable, we have dealing with excitons of intermediate radius.Item Технологічні аспекти синтезу багатошарових тонкоплівкових структур(Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2007) Яремчук, І. Я.Проаналізовано вплив похибки напилення шарів при одержанні багатошарових діелектричних та металодіелектричних систем на їхні оптичні характеристики. Проаналізовано найчутливіші шари, в яких навіть мінімальне відхилення від заданої товщини призводить до недопустимого спотворення спектральної кривої. Досліджено залежність півширини смуги пропускання від товщини діелектричних шарів з високим показ- ником заломлення. The analysis of influencing of error of deposition of layers at the receipt of multilayer dielectric and metal-dielectric systems on their optical characteristics was conducted. The most sensitive layers in what even minimum deviation from the control thickness results to impermissible deformation of spectral curve, was analyzed. It was researched dependence half-width of band of transmission from the thickness of dielectric layers with the high index of refraction.Item Моделювання процесів масоперенесення твердих компонентів через газову фазу в системі InAs–Sn–HCl(Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2007) Шуригін, Ф. М.; Макідо, О. Ю.; Кость, Я. Я.Наведено результати термодинамічних розрахунків системи InAs-Sn-HCl, на основі яких було проведено дослідження масоперенесення твердих компонентів через газову фазу. Показано, що для цієї системи можна використати порівняно прості математичні моделі та розрахунки, які досить точно описують реальні процеси, що відбуваються в газовій фазі, а одержані розрахункові дані масоперенесення добре узгоджуються із експериментальними даними сумарного масоперенесення в реальних процесах. Досліджено залежності масоперенесення компонентів системи від температури зони джерела та визначено оптимальну температуру зони джерела для цього процесу. Results of InAs-Sn-HCl system thermodynamic calculations, on the basis of which we carried out the research of solid component mass transfer through vapor phase, are represented. It is demonstrated that relatively simple mathematic models and calculations can be used for this system, and their description of the real processes taking place in the vapor phase is rather accurate. The results of mass transfer calculation data are in accord with the experimental data of the total mass transfer in the real processes. Research into dependencies of the system component mass transfer upon source region temperature has been carried out, and optimal source region temperature for the process has been determined.Item Світловипромінювальна гетероструктура InP/InGaAsP з віддаленим від гетерограниці плавним p-n-переходом(Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2007) Мрихін, І. О.; Заячук, Д. М.; Круковський, С. І.; Іжнін, О. І.; Михащук, Ю. С.; Григорчак, І. І.Методом РФЕ в температурному інтервалі 635 – 620 оС вирощено гетероструктури n-InP:Те / p-In0.917Ga0.083As0.155P0.845:Zn та досліджено їхні випромінювальні, вольт-фарадні характеристики і напругу пробою. Виявлено існування кореляцій між інтенсивністю випромінювання структури за прямого зміщення та її напругою пробою за оберненого зміщення на p-n-переході. Встановлено, що найвищою інтенсивністю випромінювання володіли структури, для яких за використовуваних технологічних режимів росту легований p-InGaAsP:Zn шар нарощували не менше години. Показано, що така тривалість процесу забезпечує лінійний розподіл легуючої домішки в області p-n-переходу і величину градієнта її концентрації, меншу за 1022 см-4. Цього одночасно достатньо для забезпечення напруги пробою переходу Ud на рівні 10 В. Зроблено висновок, що величина Ud ≈ 10 В може використовуватися як критерій придатності досліджених p-n- гетероструктур для виготовлення світлодіодів. Heterostructure n-InP:Те / pIn0.917Ga0.083As0.155P0.845:Zn are grown by LPE method at temperature range 635 – 620 oC. Their emitting, volt-capacity characteristics and breakdown voltage are investigated. Presence of correlations between emitting intensity of structure under forward bias and its breakdown voltage under reverse bias is revealed. It is shown that the highest emitting intensity has the structures for which process of growing p-InGaAsP:Zn was continued no less than one hour. Such procedure ensures linear distribution of doping impurity at the range of p-n-junction and gradient of it concentration less than 1022 cm-4. It is enough for guarantee of breakdown voltage Ud at the level of 10 V. It is drawn a conclusion that value Ud ≈ 10 V may be used as criteria of aptitude of p-n-heterostructures under consideration for light-emitting diodes manufacturing.Item Термомеханічні напруження в мікрочіповому Nd3+:YAG-лазері з пасивним модулятором добротності на основі плівки Сr4+:YAG(Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2007) Бурий, О. А.Розглядаються теплові процеси в мікрочіповому лазері на основі кристала Nd3+:YAG, модуляція добротності якого здійснюється за допомогою плівки Cr4+:YAG, яка має властивості поглинача, що насичується. За системою швидкісних рівнянь визначено величину питомого тепловиділення, що існує при лазерній генерації. При відомому часовому та просторовому розподілі питомого тепловиділення за рівнянням теплопровідності визначено розподіл температури, за допомогою якого визначено величини термомеханічних напружень, що виникають в лазері в процесі генерації. The heat processes are considered for microchip Nd3+:YAG-laser passively Q-switched by Cr4+:YAG film that has got the properties of saturable absorber. The specific heat generation is determined from the system of the rate equations. At the given time and space distribution of the specific heat generation the temperature distribution is determined from the heat conduction equation. The temperature distribution is used for the calculation of the thermomechanical strains appearing during the laser action.Item Модель багатоканальної позитронної анігіляції в діелектричній кераміці MGAL2O4(Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2007) Клим, Г. І.; Ваків, М. М.Узагальнено багатоканальну модель позитронної анігіляції для діелектричної кераміки MgAl2O4 шпінельного типу. Показано, що ця модель об’єднує канали захоплення позитронів об’ємними дефектами та розпад атомів орто-позитронію. У межах розвинутого підходу перша компонента часів життя позитронів відображає мікроструктурні особливості шпінельної структури, друга компонента відповідає об’ємним дефектам біля міжзеренних границь, а третя – процесу «pick-off» анігіляції орто-позитронію в наповнених вологою нанопорах кераміки. Показано, що процеси вологопоглинання в кераміці MgAl2O4 каталітично впливають на захоплення позитронів дефектами. The multi-channel model of positron annihilation for humidity-sensitive dielectric spinel-type MgAl2O4 ceramics is generalized. It is shown that this model unifies the channels of positron trapping and ortho-positronium decay modes. In terms of developed approach, the first component in the lifetime spectra reflects microstructure specificity of the spinel structure, the second component responsible to extended defects near grain boundaries and the third component corresponds to “pick-off” annihilation of ortho-positronium in the water-filled nanopores of ceramics. It is shown that the water-sorption processes act catalytically on positron trapping in MgAl2O4 ceramics.