Технологічні аспекти синтезу багатошарових тонкоплівкових структур

dc.contributor.authorЯремчук, І. Я.
dc.date.accessioned2010-06-03T10:16:01Z
dc.date.available2010-06-03T10:16:01Z
dc.date.issued2007
dc.description.abstractПроаналізовано вплив похибки напилення шарів при одержанні багатошарових діелектричних та металодіелектричних систем на їхні оптичні характеристики. Проаналізовано найчутливіші шари, в яких навіть мінімальне відхилення від заданої товщини призводить до недопустимого спотворення спектральної кривої. Досліджено залежність півширини смуги пропускання від товщини діелектричних шарів з високим показ- ником заломлення. The analysis of influencing of error of deposition of layers at the receipt of multilayer dielectric and metal-dielectric systems on their optical characteristics was conducted. The most sensitive layers in what even minimum deviation from the control thickness results to impermissible deformation of spectral curve, was analyzed. It was researched dependence half-width of band of transmission from the thickness of dielectric layers with the high index of refraction.uk_UA
dc.identifier.citationЯремчук І. Я. Технологічні аспекти синтезу багатошарових тонкоплівкових структур / І. Я. Яремчук // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2007. – № 592 : Електроніка. – С. 94–98. – Бібліографія: 12 назв.uk_UA
dc.identifier.urihttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/3918
dc.language.isouauk_UA
dc.publisherВидавництво Національного університету «Львівська політехніка»uk_UA
dc.subjectсинтезuk_UA
dc.subjectосновні аспектиuk_UA
dc.subjectбагатошарові тонкоплівкові структуриuk_UA
dc.titleТехнологічні аспекти синтезу багатошарових тонкоплівкових структурuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Files

Original bundle

Now showing 1 - 1 of 1
Thumbnail Image
Name:
15.pdf
Size:
462.16 KB
Format:
Adobe Portable Document Format