Optical Properties of Epitaxial ZnO-ALD Films Implanted with Rare Earth

Simple item page
dc.citation.conferenceМіжнародна наукова конференція "Оксидні матеріали електронної техніки – отримання, властивості, застосування"
dc.citation.epage162
dc.citation.journalTitleОксидні матеріали електронної техніки – отримання, властивості, застосування : збірник тез міжнародної наукової конференції
dc.citation.spage162
dc.contributor.affiliationInstitute of Physics, Polish Academy of Sciences, Warsaw, Poland
dc.contributor.affiliationNational Centre for Nuclear Research, Świerk, Poland
dc.contributor.affiliationInstitute of Electronic Materials Technology, Warsaw, Poland
dc.contributor.authorGuziewicz, E.
dc.contributor.authorRatajczak, R.
dc.contributor.authorStachowicz, M.
dc.contributor.authorKrajewski, T. A.
dc.contributor.authorSnigurenko, D.
dc.contributor.authorTuros, A.
dc.coverage.placenameЛьвів
dc.coverage.placenameLviv
dc.coverage.temporal29 травня–2 червня, 2017 Львів, Україна
dc.coverage.temporalMay 29–June 2, 2017 Lviv, Ukraine
dc.date.accessioned2018-04-02T13:40:08Z
dc.date.available2018-04-02T13:40:08Z
dc.date.created2017-05-29
dc.date.issued2017-05-29
dc.format.extent162
dc.format.pages1
dc.identifier.citationOptical Properties of Epitaxial ZnO-ALD Films Implanted with Rare Earth / E. Guziewicz, R. Ratajczak, M. Stachowicz, T. A. Krajewski, D. Snigurenko, A. Turos // Oxide Materials for Electronic Engineering – fabrication, properties and applications : book of abstracts international conference, May 29–June 2, 2017 Lviv, Ukraine. — Lviv, 2017. — P. 162. — (5 materials for quantum and optoelectronics and detectors of radiation).
dc.identifier.citationenOptical Properties of Epitaxial ZnO-ALD Films Implanted with Rare Earth / E. Guziewicz, R. Ratajczak, M. Stachowicz, T. A. Krajewski, D. Snigurenko, A. Turos // Oxide Materials for Electronic Engineering – fabrication, properties and applications : book of abstracts international conference, May 29–June 2, 2017 Lviv, Ukraine. — Lviv, 2017. — P. 162. — (5 materials for quantum and optoelectronics and detectors of radiation).
dc.identifier.urihttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/40048
dc.language.isoen
dc.relation.ispartofОксидні матеріали електронної техніки – отримання, властивості, застосування : збірник тез міжнародної наукової конференції, 2017
dc.relation.ispartofOxide Materials for Electronic Engineering – fabrication, properties and applications : book of abstracts international conference, 2017
dc.relation.referencesen[1] A.J. Kenyon, Prog. Quntum El. 26 (2002) 225.
dc.relation.referencesen[2] P.N. Favennec, H. L’Haridon, D. Moutonnet, M. Salvi, M. Gauneau, Rare Earth Doped Semiconductors, in: Pomrenke, Klein, Langer (Eds.), MRS Symposia Proceedings, Materials Research Society, Pittsburgh, PA, vol. 31, 181 (1993).
dc.relation.referencesen[3] R. Ratajczak, S. Prucnal, E. Guziewicz, C. Mieszczynski, D. Snigurenko, M. Stachowicz, W. Skorupa and A. Turos, J. Applied Phys. (in print).
dc.relation.referencesen[4] E. Guziewicz, R. Ratajczak, M. Stachowicz, D. Snigurenko, T.A. Krajewski, C. Mieszczynski, K. Mazur, B.S. Witkowski, P. Dluzewski, K. Morawiec, A Turos, Thin Solid Films (under consideration).
dc.rights.holder© Національний університет “Львівська політехніка”, 2017
dc.titleOptical Properties of Epitaxial ZnO-ALD Films Implanted with Rare Earth
dc.typeConference Abstract

Files

Original bundle

Now showing 1 - 2 of 2
Thumbnail Image
Name:
OMEE_2017_Guziewicz_E-Optical_Properties_of_Epitaxial_162.pdf
Size:
46.89 KB
Format:
Adobe Portable Document Format
Download
Thumbnail Image
Name:
OMEE_2017_Guziewicz_E-Optical_Properties_of_Epitaxial_162__COVER.png
Size:
1.2 MB
Format:
Portable Network Graphics
Download

License bundle

Now showing 1 - 1 of 1
No Thumbnail Available
Name:
license.txt
Size:
2.96 KB
Format:
Plain Text
Description:
Download

Collections

Оксидні матеріали електронної техніки – отримання, властивості, застосування (OMEE-2017). – 2017 р.