Механізм електропровідності термометричного матеріалу TіNi1-xCoxSn
No Thumbnail Available
Files
Date
2009
Authors
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Видавництво Національного університету «Львівська політехніка»
Abstract
Crystal structure, density of electron states and electrotransport characteristics of the heavy, Co impurity, doped n-TiNiSn intermetallic semiconductor (N=9,5*10+1,9*10cm) were investigated in the T=80+380K temperature range. The variable degree of the occupation of Ni and Ti atomic positions Co atomic in the TiNi1-xCoxSn, x<0,003, lattices was established. It is equivalent to introducnion in this semiconductor the of acceptor and donor impurities.
Description
Keywords
temperature, thermometric element, semiconductor
Citation
Ревенко К. Механізм електропровідності термометричного матеріалу TіNi1-xCoxSn / К. Ревенко, В. Ромака // Комп'ютерні науки та інженерія : матеріали ІІІ Міжнародної конференції молодих вчених CSE–2009, 14–16 травня 2009 року, Україна, Львів / Національний університет "Львівська політехніка". – Львів : Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2009. – С. 350–353. – ( Міжнародний молодіжний фестиваль науки «Litteris et Artibus»). – Бібліографія: 8 назв.