Механізм електропровідності термометричного матеріалу TіNi1-xCoxSn
| dc.contributor.author | Ревенко, Катерина | |
| dc.contributor.author | Ромака, Віталій | |
| dc.date.accessioned | 2010-06-15T13:17:17Z | |
| dc.date.available | 2010-06-15T13:17:17Z | |
| dc.date.issued | 2009 | |
| dc.description.abstract | Crystal structure, density of electron states and electrotransport characteristics of the heavy, Co impurity, doped n-TiNiSn intermetallic semiconductor (N=9,5*10+1,9*10cm) were investigated in the T=80+380K temperature range. The variable degree of the occupation of Ni and Ti atomic positions Co atomic in the TiNi1-xCoxSn, x<0,003, lattices was established. It is equivalent to introducnion in this semiconductor the of acceptor and donor impurities. | uk_UA |
| dc.identifier.citation | Ревенко К. Механізм електропровідності термометричного матеріалу TіNi1-xCoxSn / К. Ревенко, В. Ромака // Комп'ютерні науки та інженерія : матеріали ІІІ Міжнародної конференції молодих вчених CSE–2009, 14–16 травня 2009 року, Україна, Львів / Національний університет "Львівська політехніка". – Львів : Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2009. – С. 350–353. – ( Міжнародний молодіжний фестиваль науки «Litteris et Artibus»). – Бібліографія: 8 назв. | uk_UA |
| dc.identifier.uri | https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/5154 | |
| dc.language.iso | ua | uk_UA |
| dc.publisher | Видавництво Національного університету «Львівська політехніка» | uk_UA |
| dc.subject | temperature | uk_UA |
| dc.subject | thermometric element | uk_UA |
| dc.subject | semiconductor | uk_UA |
| dc.title | Механізм електропровідності термометричного матеріалу TіNi1-xCoxSn | uk_UA |
| dc.type | Article | uk_UA |