Si wires for strain sensor application
| dc.contributor.author | Druzhinin, Anatoly | |
| dc.contributor.author | Ostrovskii, Igor | |
| dc.contributor.author | Palewski, Tomasz | |
| dc.contributor.author | Nichkalo, Stepan | |
| dc.contributor.author | Koretskyy, Roman | |
| dc.contributor.author | Berezhanskii, Yevgen | |
| dc.date.accessioned | 2012-08-23T08:56:12Z | |
| dc.date.available | 2012-08-23T08:56:12Z | |
| dc.date.issued | 2012 | |
| dc.description.abstract | Resistance and magnetoresistance of Si microwires were studied in temperature range 4,2-300 K at magnetic fields up to 14 T. Ga-In gates were created to wires and ohmic I-U characteristics were observed in all temperature range. It was found high elastic strain for Si wires, linear thermoresistive characteristics as well as small magnitude of magnetoresistance (of about 5% at 14 T), which was used to design multifunctional sensor of simultaneous measurements of strain and temperature with minimal sensitivity to magnetic field intensity. | uk_UA |
| dc.identifier.citation | Si wires for strain sensor application / Anatoly Druzhinin, Igor Ostrovskii, Tomasz Palewski, Stepan Nichkalo, Roman Koretskyy, Yevgen Berezhanskii // Сучасні проблеми радіоелектроніки, телекомунікацій, комп’ютерної інженерії : матеріали ХІ Міжнародної конференції TCSET2012, присвяченої 60-річчю заснування радіотехнічного факультету у Львівській політехніці, 21-24 лютого 2012 року, Львів, Славське, Україна / Національний університет «Львівська політехніка». – Львів : Видавництво Львівської політехніки, 2012. – С. 478–479. – Bibliography: 4 titles. | uk_UA |
| dc.identifier.uri | https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/13859 | |
| dc.language.iso | en | uk_UA |
| dc.publisher | Видавництво Львівської політехніки | uk_UA |
| dc.subject | InGa contacts | uk_UA |
| dc.subject | magnetoresistance | uk_UA |
| dc.subject | wires | uk_UA |
| dc.subject | strain sensors | uk_UA |
| dc.title | Si wires for strain sensor application | uk_UA |
| dc.type | Article | uk_UA |