Про домішково-дефектні стани В CdxZnlxTe, вирощених у різних умовах

Abstract

Проведені дослідження, пов’язані з технологією вирощування CdxZni_xTe, та аналіз домішково-дефектного стану кристалів CdxZni_xTe, вирощених методом сублімації у вакуумі, у водні із шихти, синтезованої у водні, а також у вакуумі із шихти, синтезованої у водні. За спектрами фотолюмінісценції, отриманих при 5 К найменш дефектними виявились кристали CdxZni_xTe, вирощені із шихти, синтезованої у водні. The paper deals with the investigation of CdxZni_xTe growth technology and analysis of a impurity and defective condition of crystals CdxZni_xTe brought up by a method of sublimation in vacuum, at hydrogen from charge, synthesized in hydrogen and in vacuum from charge synthesized in hydrogen is carried out. The crystals CdvZni_vTe, brought up from charge, synthesized in hydrogen are the less defective behind the spectrum of photoluminescence received at 5 K least defective have appeared.