Властивості віскерів твердого розчину GaxIn1-xAs, вирощених методом хімічних транспортних реакцій з газової фази

Abstract

Наведені результати вирощування методом хімічних транспортних реакцій мікрокристалів твердих розчинів GaxIn1-xAs з використанням в якості транспортера хлористого водню в закритому ампульному реакторі. Розроблені технологічні режими дали змогу отримати мікрокристали твердого розчину GaxIn1-xAs в широкому діапазоні складів: 0,3≤x≤0,8. Подано результати дослідження електрофізичних параметрів вирощених кристалів GaxIn1-xAs. Results of growing GaxIn1-xAs solid solution microcrystals in hydrogen chloride environment by chemical transport reactions method in closed ampoule reactor are presented. The developed technological modes made it possible to obtain GaxIn1-xAs solid solution microcrystals in a wide range of compositions 0.3≤x≤0.8. Results of investigation into electrophysical parameters of obtained GaxIn1-xAs crystals are presented.