The local heavy-hole interaction with crystal lattice defects in indium antimonide

Abstract

The processes of heavy-hole scattering on the short-range potential caused by interaction with polar and nonpolar optical phonons, piezoelectric and acoustic phonons, static strain and ionized impurities in zinc blende p-InSb samples with carrier concentration ~ 5 x 1013 + 2 x 1019 cm~3 are considered. The temperature dependences of heavy-hole mobility and Hall factor in the range 11 — 520 K are calculated. Рассмотрены процессы рассеяния тяжелых дырок на близкодействующем потенциале, обусловленном взаимодействием с полярными и неполярными оптическими фононами, пьезоэлектрическими и акустическими фононами. полем статической деформации, заряженной примеси в образцах р-1пЗЬ с концентрацией носителей ~ 5 х 1013 ^ 2 х 1019 см-3. Рассчитаны температурные зависимости подвижности и Холл-фактора тяжелых дырок в интервале 11—520 К. Розглянуто процеси розсіяння важких дірок на близькодіючому потенціалі, обумовленому взаємодією з полярними та неполярними оптичними фононами, п'єзоелектричними та акустичними фононами, полем статичної деформації, іонізованими домішками в зразках р-ІпЗЬ з концентрацією носіїв ~ 5 х 1013 ^ 2 х 1019см_3. Розраховано температурні залежності рухливості та Холл-фактора важких дірок в інтервалі 11—520 К.