Термомеханічні напруження в мікрочіповому Nd3+:YAG-лазері з пасивним модулятором добротності на основі плівки Сr4+:YAG

Abstract

Розглядаються теплові процеси в мікрочіповому лазері на основі кристала Nd3+:YAG, модуляція добротності якого здійснюється за допомогою плівки Cr4+:YAG, яка має властивості поглинача, що насичується. За системою швидкісних рівнянь визначено величину питомого тепловиділення, що існує при лазерній генерації. При відомому часовому та просторовому розподілі питомого тепловиділення за рівнянням теплопровідності визначено розподіл температури, за допомогою якого визначено величини термомеханічних напружень, що виникають в лазері в процесі генерації. The heat processes are considered for microchip Nd3+:YAG-laser passively Q-switched by Cr4+:YAG film that has got the properties of saturable absorber. The specific heat generation is determined from the system of the rate equations. At the given time and space distribution of the specific heat generation the temperature distribution is determined from the heat conduction equation. The temperature distribution is used for the calculation of the thermomechanical strains appearing during the laser action.