Залежність режиму роботи джозефсонівських кріотронів від сили струму зміщення
No Thumbnail Available
Files
Date
2009
Authors
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”
Abstract
Методами математичного моделювання досліджено вплив струму зміщення на перехідні процеси в джозефсонівських елементах пам’яті (кріотронах) на основі окремих джозефсонівських тунельних переходів (ДТП). Керування логічним станом кріотронів здійснювалось за допомогою імпульсів струму. За результатами моделювання отримано перехідні характеристики кріотронів – часові залежності напруги під час зміни їх
логічного стану і визначено час комутації. Розрахунки проводились для різних значень
сили струму зміщення кріотрона, на отриманих залежностях часу комутації кріотронів від величини ємності та нормальної провідності ДТП виявлено інтервали стабільності роботи кріотронів та встановлено їх межі. In the present work, we studied a mathematical model of transitional processes in Josephson memory cells (cryotrons) based on individual Josephson tunneling junctions (JTJ). The logical state of the cryotrons was controlled by means of current impulses. From the results of the modeling we determined transitional characteristic of the cryotrons, i. e., time dependences of the voltage across a cryotron during the change of its logical state, and the commutation time. For different values of the bias current of the cryotrons, we derived the dependence of the commutation time on the capacitance and normal conductance of the JTJ and determined stable operational regimes of the cryotrons.
Description
Keywords
математичне моделювання, характеристики кріотронів, mathematical model, characteristic of the cryotrons
Citation
Тиханський М. В. Залежність режиму роботи джозефсонівських кріотронів від сили струму зміщення / М. В. Тиханський, А. І. Партика // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2009. – № 646 : Електроніка. – С. 164-172. – Бібліографія: 11 назв.