Локальна взаємодія електронів з потенціалом кристалічних дефектів у твердому розчині CdxHg1¡xTe (x = 0:52; 0:59; 1) за низької температури
| dc.contributor.author | Малик, О. П. | |
| dc.date.accessioned | 2009-09-08T07:34:02Z | |
| dc.date.available | 2009-09-08T07:34:02Z | |
| dc.date.issued | 2008 | |
| dc.description.abstract | Запропоновано близькодіючу модель розсіяння електронів на потенціалі статичної деформації в твердому розчинні CdxHg1¡xTe (x = 0:52; 0:59; 1). Розраховано температурні залежності рухливості електронів в інтервалі 4.2 - 300K. Model of electron scattering on the short-range potential caused by the static strain eld in the solid solution CdxHg1¡xTe (x = 0:52; 0:59; 1) is proposed. The temperature dependences of electron mobility in the range 4:2 ¡ 300K are calculated. | uk |
| dc.identifier.citation | Малик О. П. Локальна взаємодія електронів з потенціалом кристалічних дефектів у твердому розчині CdxHg1¡xTe (x = 0:52; 0:59; 1) за низької температури / О. П. Малик // Вісник Національного університету «Львівська політехніка». – 2008. – № 625 : Фізико-математичні науки. – С. 86–89. – Бібліографія: 10 назв. | uk |
| dc.identifier.uri | https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/1049 | |
| dc.publisher | Видавництво Національного університету "Львівська політехніка" | uk |
| dc.subject | явища переносу | uk |
| dc.subject | розсіяння носіїв заряду | uk |
| dc.subject | transport phenomena | |
| dc.subject | charge carrier scattering | |
| dc.title | Локальна взаємодія електронів з потенціалом кристалічних дефектів у твердому розчині CdxHg1¡xTe (x = 0:52; 0:59; 1) за низької температури | uk |
| dc.title.alternative | The local electron interaction with the potential of the lattice defects in CdxHg1¡xTe (x = 0:52; 0:59; 1) solid solution at low temperature | |
| dc.type | Article | uk |