Перехідні характеристики джозефсонівських кріотронів під час керуванням їхнім логічним станом імпульсами струму гауссівської форми

Abstract

Використовуючи еквівалентну схему джозефсонівського тунельного переходу (ДТП) та апроксимовані простими аналітичними функціями вольт-амперні характеристики ДТП при одноелектронному тунелюванні, проведено вдосконалення математичної моделі перехідних процесів у надшвидкодіючих елементах пам’яті - джозефсонівських кріотронах (ДК). Розраховувались перехідні характеристики кріотронів під час керування їхнім логічним станом за допомогою зовнішніх імпульсів струму гауссівської форми. Проведено моделювання перехідних процесів та отримано перехідні характеристики для логічних переходів “0” ^ “1” та “1” ^ “0”. Досліджено як впливають на перехідні характеристики кріотронів амплітуда імпульсів, середня тривалість імпульсів та момент подачі імпульсів при зворотних логічних переходах “1” ^ “0”. In the paper a mathematical model of transitional processes in extra-quick memory cells-josephson criotrons (JC) - was improved using josephson tunneling junction (JTJ) equivalent scheme and I-V characteristics of JTJ approximated by simple analytical functions in the case of one-electron tunneling. For criotrons’ logical state control by external Gauss- form current impulses their transitional characteristics were calculated. We carried out the simulating of transitional processes and obtained transitional characteristics for logical transitions “0” ^ “1” and “1” ^ “0”. The influence of impulses’ amplitude, impulses’ mean duration and the moment of impulses’ supply in the case of reverse logical transitions “1” ^ “0” on transitional characteristics was investigated.