Однорідність епітаксійннх структур GaAs, вирощених методом під впливом легуючої домішки Yb

Abstract

Експериментально досліджені низькотемпературні спектри фотолюмінесценції (ФЛ) епітаксійних шарів арсеніду галію, вирощених методом рідинно-фазної епітаксії (РФЕ) з розчинів-розплавів галію, легованих домішкою ітербію в діапазоні концентрацій від 1-Ю'3 до 1.2-10"2 ат. %. Показано, що характер спектрів ФЛ і якість вирощуваних структур суттєво залежать від концентрації легуючої домішки в розплаві Визначено діапазон концентрацій легуючої домішки, який дає змогу отримувати епітаксійні структури високого ступеня однорідності. Low-temperature photoluminescence (PL) spectra of GaAs epitaxial layers grown by liquid-phase epitaxy (LPE) method from gallium solution-melt doped with Yb impurity over the range of concentration from MO'3 till 1.2‘10'2 at. % are investigated. It is shown that both the characteristics of the PL spectra and quality of the grown structures are depended appreciably on concentration of the doping impurity into the solution. The range of doped impurity concentration, which enables to grow of epitaxial layers of large-scale homogeneity, is ascertained.