Перехідні характеристики кріотронів на основі сквідів

Loading...
Thumbnail Image

Date

2006

Journal Title

Journal ISSN

Volume Title

Publisher

Видавництво Національного університету "Львівська політехніка"

Abstract

Використовуючи еквівалентну схему та принцип роботи двоконтактного надпровідного квантового інтерферометра (СКВІДа) як елемента комп’ютерної пам’яті, створено математичну модель перехідних процесів у таких елементах пам’яті. Розраховано перехідні характеристики квантових кріотронів під час керування їх логічним станом імпульсами магнітного потоку. Здійснено моделювання перехідних процесів та отримано перехідні характеристики для логічних переходів “0” → “1” та “1” → “0”. Показано, що стабільно працювати такі кріотрони можуть тільки при логічних переходах “0” → “1”; досліджено вплив амплітуди керуючих імпульсів і середньої тривалості імпульсів на перехідні характеристики кріотронів та їх швидкодію. An equivalent scheme and the principles of operation of a double-contact superconducting quantum interference device (SQUID) used as a memory cell have been incorporated to create a mathematical model of transition processes in such memory cells called quantum criotrons. The transition characteristics of the quantum criotrons with their logical state controlled by impulses of magnetic flux have been calculated. For the logical transitions “0” → “1” and “1” → “0”, the transition processes have been modeled, and the transition characteristics have been obtained. It has been shown that the criotrons’ functioning is stabilized only during the logical transitions “0” → “1”. The dependence of the criotrons’ transition characteristics and speed on the amplitude and average duration of control impulses has been investigated.

Description

Keywords

Citation

Тиханський М. В. Перехідні характеристики кріотронів на основі сквідів / М. В. Тиханський, Р. Р. Крисько, А. І. Партика // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2006. – № 558 : Електроніка. – С. 64–70. – Бібліографія: 7 назв.

Endorsement

Review

Supplemented By

Referenced By