Утворення кристалічних фаз на початкових етапах термічного оксидування твердого розчину Pb1-xSnxTe
No Thumbnail Available
Date
2013
Authors
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Видавництво Львівської політехніки
Abstract
За допомогою методу фазових рівноваг побудовано діаграми фазових рівноваг оксидування твердого розчину Pb1-xSnxTe за кімнатної температури та температури 673 К. Оцінено хімічний склад границі розділу напівпровідник – власний оксид за цих температур. Методом рентгенівської дифракції досліджено динаміку процесу утворення кристалічних фаз на початкових етапах термічного оксидування твердого розчину. Встановлено, що основною сполукою, що утворюється на початкових етапах термічного оксидування Pb1-xSnxTe, є орторомбічний дилід трителурат – Pb2Te3O8 . To clarify the behaviour of thermally oxidized Pb1-xSnxTe the phase equilibrium diagram was calculated taking into account the change of the standard Gibbs energies of formation with the temperature up to 673 K.The X-ray diffractometry (XRD) studies of thermally oxidized Pb1-xSnxTe are summarised. It was established that the main compound formed at the initial stages of thermal oxidation Pb1-xSnxTe is the orthorhombic dilead tritellurate – Pb2Te3O8.
Description
Keywords
IV-VI напівпровідникові сполуки, діаграми фазової рівноваги, оксидування, межа розділу власний діелектрик – напівпровідник, рентгенівська дифракція, IV-VI semiconductor compounds, Equilibrium phase diagrams, Oxidation, Native dielectric–compound semiconductor interface, X-ray diffraction
Citation
Фадєєв С. В. Утворення кристалічних фаз на початкових етапах термічного оксидування твердого розчину Pb1-xSnxTe / С. В. Фадєєв, М. М. Берченко // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2013. – № 764 : Електроніка. – С. 69–73. – Бібліографія: 5 назв.