Гідрогенізований пористий кремній в структурах сонячних елементів

Simple item page
dc.citation.journalTitleВісник Національного університету "Львівська політехніка"
dc.contributor.affiliationНаціональний університет "Львівська політехніка"uk_UA
dc.contributor.authorЄрохов, В. Ю.
dc.contributor.authorМельник, І. І.
dc.coverage.countryUAuk_UA
dc.coverage.placenameЛьвівuk_UA
dc.date.accessioned2018-03-12T13:28:44Z
dc.date.available2018-03-12T13:28:44Z
dc.date.issued2002
dc.description.abstractМетою даної роботи була розробка технології одержання ефективного та рентабельного антивідбивного покриття (ARC) на основі пористого кремнію (PS), яке було б максимально адаптоване до процесів створення кремнієвих СЕ. Завдяки оптимізації умов анодного процесу інтегральний коефіцієнт відбивання PS в діапазоні 400-1000 нм зменшено до 7,59 % для пористих шарів, вирощених на полірованій поверхні, та до 1,72 % для шарів, що вирощені на текстурованій поверхні. Мінімізація оптичних втрат дозволила підвищити на більше ніж 50 % струм короткого замикання для моно- та мультікристалічних СЕ, на фронтальній поверхні яких було сформовано ARC на основі PS. При цьому приріст ККД по відношенню до СЕ без ARC склав 31 та 22 %, відповідно. The purpose of present paper was development of technology of generation of efficient and cost-effective porous silicon (PS) based antireflection coating (ARC), which would be the most adapted to the silicon solar cell (SC) processing sequence. Owing to optimization of anodization process conditions the average reflection coefficient of PS in range of 400-1000 nm was decreased to 7,59 % for porous layers, grown on polished surface, and to 1,72 % for layers that were grown on textured surface. Minimization of optical losses allowed to improve short circuit current by over than 50 % for mono- and multicrystalline SC that had PS based ARC formed on frontal surface. Under this, the increment of efficiency of these SCs (in comparison to SC without ARC) was 31 and 22 %, correspondingly.uk_UA
dc.format.pages80-86
dc.identifier.citationЄрохов В. Ю. Гідрогенізований пористий кремній в структурах сонячних елементів / В. Ю. Єрохов, І. І. Мельник // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2002. – № 455 : Електроніка. – С. 80–86. – Бібліографія: 5 назв.uk_UA
dc.identifier.urihttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/39591
dc.language.isoukuk_UA
dc.publisherВидавництво Національного університету "Львівська політехніка"uk_UA
dc.relation.references1. Tsuo S. et al., Proc. 23rdIEEE-PVSC, 287 (1993). 2. Bastide S. et al., Proc. 12th EPSEC, 780 (1994.) 3. Krotkus A. et al., Sol. Energy Mater. and Sol. Cells., 45, 267 (1997). 4. Stalmans L. et al., Proc. 14th EPSEC, 2484 (1997). 5. Bastide S. et al., Proc. 13th EPSEC, 1280 (1995).uk_UA
dc.rights.holderЄрохов В. Ю., Мельник І. І., 2002uk_UA
dc.subject.udc621.315.592uk_UA
dc.titleГідрогенізований пористий кремній в структурах сонячних елементівuk_UA
dc.title.alternativeHydrogenated porous silicon in solar cells structuresuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Files

Original bundle
Now showing 1 - 1 of 1
No Thumbnail Available
Name:
16_80-86.pdf
Size:
205.25 KB
Format:
Adobe Portable Document Format
Description:
Download

Collections

Електроніка. – 2002. – №455