Point defects and physico-chemical properties of crystals in Pb-Bi-Te system

Abstract

Within crystalquasichemical formalism models of point defects of crystals in the Pb-Bi-Te system have been specified considering the amphoteric action of impurities in bismuth doped lead telluride PbTe:Bi, and solid solution formation mechanisms for РbТе-ВіТе and РbТе-Ві2Те3 have been examined.Dependences of Hall concentration and the concentration of point defects on the composition and the initial deviation from stoichiometry in the basic matrix have been calculated. У рамках кристалоквазіхімічного формалізму уточнено моделі точкових дефектів кристалів у системі Pb-Ві-Te з урахуванням амфотерної дії домішки в легованому вісмутом плюмбум телуриді PbTe:Bi та розглянуто механізми утворення твердих розчинів РbТе-ВіТе і РbТе-Ві2Те3. Розраховано залежності холлівської концентрації та концентрації точкових дефектів від складу і початкового відхилення від стехіометрії в основній матриці.