Моделювання числовими методами ефективної маси носіїв заряду кремнію

Simple item page
dc.citation.epage80
dc.citation.issue907
dc.citation.journalTitleВісник Національного університету “Львівська політехніка”. Серія: Автоматика, вимірювання та керування
dc.citation.spage74
dc.contributor.affiliationНаціональний університет “Львівська політехніка”
dc.contributor.authorКинаш, Ю. Є.
dc.contributor.authorСиротюк, С. В.
dc.contributor.authorМищишин, В. М.
dc.coverage.placenameЛьвів
dc.coverage.placenameLviv
dc.date.accessioned2020-03-06T09:53:54Z
dc.date.available2020-03-06T09:53:54Z
dc.date.created2018-02-18
dc.date.issued2018-02-18
dc.description.abstractЕнергетичний спектр кремнію розраховано методом змішаного базису. Значення ефективної маси в кремнії отримано з використанням поліномів Лагранжа та сплайнфункцій і одержані результати добре узгоджуються з експериментальними даними.
dc.description.abstractThe energy band spectrum has been calculated on the mixed basis. The effective mass obtained using Lagrange polynomials and spline functions and shows the good agreement with experiment in case of crystals silicon.
dc.format.extent74-80
dc.format.pages7
dc.identifier.citationКинаш Ю. Є. Моделювання числовими методами ефективної маси носіїв заряду кремнію / Ю. Є. Кинаш, С. В. Сиротюк, В. М. Мищишин // Вісник Національного університету “Львівська політехніка”. Серія: Автоматика, вимірювання та керування. — Львів : Видавництво Львівської політехніки, 2018. — № 907. — С. 74–80.
dc.identifier.citationenKynash Yu. Ye. Modeliuvannia chyslovymy metodamy efektyvnoi masy nosiiv zariadu kremniiu / Yu. Ye. Kynash, S. V. Syrotiuk, V. M. Myshchyshyn // Visnyk Natsionalnoho universytetu "Lvivska politekhnika". Serie: Avtomatyka, vymiriuvannia ta keruvannia. — Lviv : Vydavnytstvo Lvivskoi politekhniky, 2018. — No 907. — P. 74–80.
dc.identifier.urihttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/46934
dc.language.isouk
dc.publisherВидавництво Львівської політехніки
dc.relation.ispartofВісник Національного університету “Львівська політехніка”. Серія: Автоматика, вимірювання та керування, 907, 2018
dc.relation.references1. Ридли Б. Квантовые процессы в полупроводниках. – М.: Мир, 1986. – 304 с.
dc.relation.references2. Сиротюк С. В., Краєвський С. Н., Кинаш Ю.Є. Про критерій побудови локального модельного потенціалу кремнію // Укр. фіз. журн. – 2006. – Т. 51. № 7. – С. 674–678.
dc.relation.references3. Сиротюк С. В., Краєвський С. Н., Кинаш Ю. Є. Електронна енергетична структура кристалів AlN, GaN та InN розрахована в змішаному базисі одночастинкових станів // Укр. фіз. журн. – 2008. – Т. 53. № 6. – С. 547–551.
dc.relation.references4. Syrotyuk S. V., Kynash Yu. E., and Kraevskyi S. N. The new implementation of the mixed basis approach to the ab initio electronic structure theory // 6th international workshop on expert evaluation and control of compound semiconductor materials and technologies-Budapest (Hungary). – 2002. – P. 200.
dc.relation.references5. Бахвалов Н. С., Жидков Н. П., Кобельников Г. М. Численные методы. – М.: Наука, 1987. – 600 с.
dc.relation.references6. Fiorentini Vincenzo. Semiconductor band structures at zero pressure // Phys. Rev., B. – 1992. – Vol. 46, № 4. – P. 2086–2091.
dc.relation.references7. Gryko J., Sankey O. F. Energy band gaps of silicon-carbon alloys // Phys. Rev. B. – 1995. – Vol. 51, № 11. – P.7295–7298.
dc.relation.referencesen1. Ridli B. Kvantovye protsessy v poluprovodnikakh, M., Mir, 1986, 304 p.
dc.relation.referencesen2. Syrotiuk S. V., Kraievskyi S. N., Kynash Yu.Ye. Pro kryterii pobudovy lokalnoho modelnoho potentsialu kremniiu, Ukr. fiz. zhurn, 2006, V. 51. No 7, P. 674–678.
dc.relation.referencesen3. Syrotiuk S. V., Kraievskyi S. N., Kynash Yu. Ye. Elektronna enerhetychna struktura krystaliv AlN, GaN ta InN rozrakhovana v zmishanomu bazysi odnochastynkovykh staniv, Ukr. fiz. zhurn, 2008, V. 53. No 6, P. 547–551.
dc.relation.referencesen4. Syrotyuk S. V., Kynash Yu. E., and Kraevskyi S. N. The new implementation of the mixed basis approach to the ab initio electronic structure theory, 6th international workshop on expert evaluation and control of compound semiconductor materials and technologies-Budapest (Hungary), 2002, P. 200.
dc.relation.referencesen5. Bakhvalov N. S., Zhidkov N. P., Kobelnikov H. M. Chislennye metody, M., Nauka, 1987, 600 p.
dc.relation.referencesen6. Fiorentini Vincenzo. Semiconductor band structures at zero pressure, Phys. Rev., B, 1992, Vol. 46, No 4, P. 2086–2091.
dc.relation.referencesen7. Gryko J., Sankey O. F. Energy band gaps of silicon-carbon alloys, Phys. Rev. B, 1995, Vol. 51, No 11, P.7295–7298.
dc.rights.holder© Національний університет “Львівська політехніка”, 2018
dc.rights.holder© Кинаш Ю. Є., Сиротюк С. В., Мищишин В. М., 2018
dc.subjectелектронний енергетичний спектр
dc.subjectзмішаний базис
dc.subjectсплайн-функції
dc.subjectenergy band spectrum
dc.subjectmixed basis
dc.subjectspline functions
dc.subject.udc537.311.322
dc.titleМоделювання числовими методами ефективної маси носіїв заряду кремнію
dc.typeArticle

Files

Original bundle
Now showing 1 - 2 of 2
No Thumbnail Available
Name:
2018n907_Kynash_Iu_Ye-Modeliuvannia_chyslovymy_74-80.pdf
Size:
615.44 KB
Format:
Adobe Portable Document Format
Download
No Thumbnail Available
Name:
2018n907_Kynash_Iu_Ye-Modeliuvannia_chyslovymy_74-80__COVER.png
Size:
326.61 KB
Format:
Portable Network Graphics
Download
License bundle
Now showing 1 - 1 of 1
No Thumbnail Available
Name:
license.txt
Size:
2.99 KB
Format:
Plain Text
Description:
Download

Collections

Автоматика, вимірювання та керування. – 2018. – №907