Вплив комплексного легування Sn, Yb та AI на властивості товстих епітаксій них шарів GaAs, вирощених методом РФЕ

Simple item page
dc.citation.conferenceВісник Національного університету "Львівська політехніка"
dc.contributor.affiliationНаціональний університет "Львівська політехніка"uk_UA
dc.contributor.authorКруковський, С. І.
dc.contributor.authorЗаячук, Д. М.
dc.contributor.authorМрихін, І. О.
dc.coverage.countryUAuk_UA
dc.coverage.placenameЛьвівuk_UA
dc.date.accessioned2018-03-12T09:17:41Z
dc.date.available2018-03-12T09:17:41Z
dc.date.issued2002
dc.description.abstractДосліджено вплив комплексного легування домішками олова, ітербію та алюмінію розчинів-розплавів галію на електрофізичні параметри шарів GaAs, вирощуваних методом РФЕ в інтервалі температур 800-600 °С. Показано, що зазначене легування дозволяє в широких межах - від 1,5-1018 см-3 до 1 1 0 16 см-3 - керувати концентрацією вільних електронів та підвищувати їх рухливості до рівня, близького до теоретичного значення для некомпенсованих матеріалів. Аналізуються можливі механізми впливу багатокомпонентного легування на електрофізичні параметри епітаксійних шарів GaAs. The influence of complex doping with tin, ytterbium and aluminum of gallium solutions - melts on the electrophysical parameters of GaAs epitaxial layers grown by LPE method in an interval of temperatures 800-600 °C is investigated. It is shown that mentioned doping lets to control of free carrier concentration in wide range from 1,51018 up to 1-1016 cm-3 as well as to raise their mobility to the level corresponded to theoretical value for theuncompensated material. The possible mechanisms of multicomponent doping influence on electrophysical parameters of GaAs layers are analyzed.uk_UA
dc.format.pages33-38
dc.identifier.citationКруковський С. І. Вплив комплексного легування Sn, Yb та AI на властивості товстих епітаксій них шарів GaAs, вирощених методом РФЕ / С. І. Круковський, Д. М. Заячук, І. О. Мрихін // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2002. – № 455 : Електроніка. – С. 33–38. – Бібліографія: 9 назв.uk_UA
dc.identifier.urihttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/39582
dc.language.isoukuk_UA
dc.publisherВидавництво Національного університету "Львівська політехніка"uk_UA
dc.relation.references1. Корольков В.И., Рахимов Н.Р. Диоды, транзисторы и тиристоры на основе гетероструктур. - Ташкент, 1986. 2. Андреев В.М., Ларионов В.Р., Румянцев В Д ., Федорова О.М., Шамухамедов Ш.Ш. // Письма в ЖТФ. - 1983. - 9. - С. 1251-1254. 3. Уфимцев В.Б., Акчурин Р.Х. Физико-химические основы жидкофазной эпитаксии. - М., 1983. 4. Беспалов В.А., Елкин А.Г., Журкин Б.Г., Квит Ф.И., Октябрьский С.Р., Пережогин Г.А. // Краткие сообщения по физике. - 1987. - 9. - С. 32-34. 5. Заячук Д.М., Круковський С.1. / / Вісн. Н У “Львівська політехніка”. - 2001. - № 430. - С. 73-76. 6. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. Т. 1. - М., 1984. 7. Шишияну Ф. С. Диффузия и деградация в полупроводниковых материалах и приборах. - Кишинев, 1978. 8. Лебедев В.А., Кобер В.И., Ямщиков Л.Ф. Термохимия сплавов редкоземельных и актиноидных элементов: Справочник. - Челябинск, 1989. 9. Стрельченко С. С., Лебедев В.В. Соединения А 3 В 5: Справочник. - М., 1984.uk_UA
dc.rights.holderКруковський С. І., Заячук Д. М., Мрихін І. О.uk_UA
dc.subject.udc621.315.592uk_UA
dc.titleВплив комплексного легування Sn, Yb та AI на властивості товстих епітаксій них шарів GaAs, вирощених методом РФЕuk_UA
dc.title.alternativeInfluence of complex doping with Sn, Yb and Al on the properties of thick GaAs epitaxial layers grown by LPE methoduk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Files

License bundle
Now showing 1 - 1 of 1
No Thumbnail Available
Name:
license.txt
Size:
2.99 KB
Format:
Item-specific license agreed upon to submission
Description:
Download

Collections

Електроніка. – 2002. – №455