Принцип побудови основних компонентів САПР для потужних МОН ПТ

Simple item page
dc.citation.epage99
dc.citation.issue443 : Радіоелектроніка та телекомунікації
dc.citation.journalTitleВісник Національного університету “Львівська політехніка”
dc.citation.spage95
dc.contributor.affiliationЛьвівський науково-дослідний радіотехнічний інститут
dc.contributor.affiliationНаціональний університет "Львівська політехніка"
dc.contributor.authorСмеркло, Л. М.
dc.contributor.authorНевзоров, В. В.
dc.contributor.authorБеген, В. І.
dc.contributor.authorНевзорова, Т. В.
dc.contributor.authorГалкіна, Л. В.
dc.coverage.placenameЛьвів
dc.date.accessioned2019-08-28T09:46:09Z
dc.date.available2019-08-28T09:46:09Z
dc.date.created2001-03-27
dc.date.issued2001-03-27
dc.description.abstractРозглянута структура та принципи побудови САПР для проектування потужних МОН ПТ. Розглянуті особливості МОН ПТ, які заважають прийняттю оптимальних конструкторсько-технологічних рішень. Показано, що САПР для потужних МОН ПТ повинна сприяти забезпеченню високих техніко-економічних показників транзисторів, які проектуються.
dc.format.extent95-99
dc.format.pages5
dc.identifier.citationПринцип побудови основних компонентів САПР для потужних МОН ПТ / Л. М. Смеркло, В. В. Невзоров, В. І. Беген, Т. В. Невзорова, Л. В. Галкіна // Вісник Національного університету “Львівська політехніка”. — Львів : Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2002. — № 443 : Радіоелектроніка та телекомунікації. — С. 95–99.
dc.identifier.citationenPryntsyp pobudovy osnovnykh komponentiv SAPR dlia potuzhnykh MON PT / L. M. Smerklo, V. V. Nevzorov, V. I. Behen, T. V. Nevzorova, L. V. Halkina // Visnyk Natsionalnoho universytetu "Lvivska politekhnika". — Vydavnytstvo Natsionalnoho universytetu "Lvivska politekhnika", 2002. — No 443 : Радіоелектроніка та телекомунікації. — P. 95–99.
dc.identifier.urihttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/45280
dc.language.isouk
dc.publisherВидавництво Національного університету “Львівська політехніка”
dc.relation.ispartofВісник Національного університету “Львівська політехніка”, 443 : Радіоелектроніка та телекомунікації, 2002
dc.relation.references1. Смеркло Л.М., Невзоров В.В., Кучмій Г.Л., Конструктцвно-технологічні особливості потужних ДМОН транзисторів / Міжн. наук,-тех. конф. «Сучасні проблеми автоматизованої розробки і виробництва радіоелектронних засобів, застосування засобів зв язку та підготовки інженерних кадрів (27.02 - 3.03. 1995 р), Львів, Україна, с. 93.
dc.relation.references2. Sun S.C., Plummer J.D., Moleling of the on-resistance of LDMOS, VDMOS and DMOS power transistors. IEEE Transactions on Electron Devices. - 1980. - V.ED-27. - N2. - p. 356-367,
dc.relation.references3. Hower P.L, Heng T.M.S., Huang C. Optimum Design o f Power MOSFET. International Electron Devices meeting, 1983, December 5-6-7, P. 87-90.
dc.relation.references4. Зи С. Физика полупроводниковых приборов: В 2 кн. /Пер. с англ, под.peд. Р.А., Суриса. - М.: Мир, 1984. - 455 с.
dc.relation.references5. Smerklo L., Behen V., Masiutïn G., "Micron" - computer aided design system for engineering technical documentation and photomasks of hybrid integrated modules. Proceedings of the Vl-th International Conference CApSM 2001, Lviv - Slavsko, UKRAINE, p. 255.
dc.relation.referencesen1. Smerklo L.M., Nevzorov V.V., Kuchmii H.L., Konstrukttsvno-tekhnolohichni osoblyvosti potuzhnykh DMON tranzystoriv, Mizhn. nauk,-tekh. konf. "Suchasni problemy avtomatyzovanoi rozrobky i vyrobnytstva radioelektronnykh zasobiv, zastosuvannia zasobiv zv yazku ta pidhotovky inzhenernykh kadriv (27.02 - 3.03. 1995 r), Lviv, Ukraine, P. 93.
dc.relation.referencesen2. Sun S.C., Plummer J.D., Moleling of the on-resistance of LDMOS, VDMOS and DMOS power transistors. IEEE Transactions on Electron Devices, 1980, V.ED-27, N2, p. 356-367,
dc.relation.referencesen3. Hower P.L, Heng T.M.S., Huang C. Optimum Design o f Power MOSFET. International Electron Devices meeting, 1983, December 5-6-7, P. 87-90.
dc.relation.referencesen4. Zi S. Fizika poluprovodnikovykh priborov: V 2 kn. /Per. s anhl, pod.ped. R.A., Surisa, M., Mir, 1984, 455 p.
dc.relation.referencesen5. Smerklo L., Behen V., Masiutïn G., "Micron" - computer aided design system for engineering technical documentation and photomasks of hybrid integrated modules. Proceedings of the Vl-th International Conference CApSM 2001, Lviv - Slavsko, UKRAINE, p. 255.
dc.rights.holder© Національний університет “Львівська політехніка”, 2002
dc.rights.holder© Смеркло Л. М., Невзоров В. В., Беген В. І., Невзорова Т. В., Галкіна Л. В., 2002
dc.subject.udc621.382.323
dc.titleПринцип побудови основних компонентів САПР для потужних МОН ПТ
dc.typeArticle

Files

Original bundle

Now showing 1 - 2 of 2
Thumbnail Image
Name:
2002n443___Radioelektronika_ta_telekomunikatsii_Smerklo_L_M-Pryntsyp_pobudovy_osnovnykh_95-99.pdf
Size:
826.61 KB
Format:
Adobe Portable Document Format
Download
Thumbnail Image
Name:
2002n443___Radioelektronika_ta_telekomunikatsii_Smerklo_L_M-Pryntsyp_pobudovy_osnovnykh_95-99__COVER.png
Size:
3.03 MB
Format:
Portable Network Graphics
Download

License bundle

Now showing 1 - 1 of 1
No Thumbnail Available
Name:
license.txt
Size:
3.04 KB
Format:
Plain Text
Description:
Download

Collections

Радіоелектроніка та телекомунікації. – 2002. – №443