Отримання високоомних шарів GaAs, AlGaAs методом НТРФЕ

dc.contributor.authorКруковський, С. І.
dc.contributor.authorЗавербний, І. Р.
dc.date.accessioned2012-02-09T09:30:20Z
dc.date.available2012-02-09T09:30:20Z
dc.date.issued2000
dc.description.abstractДосліджено електрофізичні властивості шарів GaAs та твердих розчинів AlxGa1-xAs, отриманих із галієвих розплавів методом низькотемпературної рідиннофазної епітаксії при температурах 630…580 °С. Показано, що подвійне легування галієвих розплавів ітербієм від 2⋅10-3 до 1,2⋅10-2 ат.% та алюмінієм більше 6,5⋅10-3 ат.% дозволяє отримати епітаксійні шари GaAs з питомим опором до 105 Ом⋅см. Тверді розчини Al0,05Ga0,95As кристалізовані із розплавів галію з концентрацією Yb 1,4⋅10-2 ат%, характеризуються найвищою рухливістю ≈3⋅104 см2/(В⋅с) (300 К).OBTAINING HIGH-RESISTANCE GaAs, AlGaAs LAYERS BY MEANS OF LAW-TEMPERATURE LIQUID-PHASE EPITAXY, by Krukovsky S.I., Zaverbny I.R., Е-mail: granat@carat.lviv.ua. Electrophysical properties are investigated of GaAs layers and AlxGa1-xAs solid solutions obtained from gallium melts by means of lawtemperature liquid-phase epitaxy at the temperatures of 630…580 °С. It was shown that double doping of the gallium melts by (2⋅10-3-1.2⋅10-2) at.% ytterbium and by 6.5⋅10-3 at.% aluminum allows obtaining GaAs epitaxial layers with resistivity up to 105 Ohm⋅cm. The highest mobility of ≈3⋅104 cm 2 /V⋅s (300 К) was observed in Al0,05Ga0,95As solid solutions crystallized from gallium melts with Yb concentration of 1,4⋅10-2 at.%.uk_UA
dc.identifier.citationКруковський С. І. Отримання високоомних шарів GaAs, AlGaAs методом НТРФЕ / С. І. Круковський, І. Р. Завербний // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2000. – № 397 : Електроніка. – С. 17–21. – Бібліографія: 8 назв.uk_UA
dc.identifier.urihttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/11423
dc.language.isouauk_UA
dc.publisherВидавництво Державного університету "Львівська політехніка"uk_UA
dc.titleОтримання високоомних шарів GaAs, AlGaAs методом НТРФЕuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Files

Original bundle

Now showing 1 - 1 of 1
Thumbnail Image
Name:
03.pdf
Size:
1.31 MB
Format:
Adobe Portable Document Format