Дослідження властивостей плівок індію (ІІІ) сульфіду, одержаних методом хімічного осадження

Simple item page
dc.citation.epage6
dc.citation.issue1
dc.citation.journalTitleChemistry, Technology and Application of Substance
dc.citation.spage1
dc.citation.volume1
dc.contributor.affiliationНаціональний університет “Львівська політехніка”
dc.contributor.authorГладь, Р. І.
dc.contributor.authorГумінілович, Р. Р.
dc.contributor.authorШаповал, П. Й.
dc.contributor.authorСтаднік, В. Є.
dc.contributor.authorЯтчишин, Й. Й.
dc.contributor.authorHlad, R. I.
dc.contributor.authorGuminilovych, R. R.
dc.contributor.authorShapoval, P. Y.
dc.contributor.authorStadnik, V. Y.
dc.contributor.authorYatchyshyn, Y. Y.
dc.coverage.placenameLviv
dc.date.accessioned2019-05-21T12:54:06Z
dc.date.available2019-05-21T12:54:06Z
dc.date.created2018-02-26
dc.date.issued2018-02-26
dc.description.abstractСинтезовано тонкі плівки сульфіду індію (ІІІ) методом хімічного осадження у присутності ацетатної кислоти як регулятора рН і комплексоутворюючого реагента одночасно та тіоацетаміду (CH3CSNH2) як сульфідизатора. Встановлено оптимальні концентраційні співвідношення робочого розчину речовин, які реагують, значення тем- ператури та часу осадження для синтезу плівок індію (ІІІ) сульфіду з відтворюваними властивостями. Досліджено фазовий склад, оптичні властивості та морфологію поверхні плівок. Проаналізовано вплив часу осадження на можливість утворення плівок сполуки In2S3 стехіометричного складу із задовільними оптичними параметрами, морфологією поверхні та товщиною.
dc.description.abstractIndium (III) sulfide thin films were synthesized by chemical deposition in the presence of acetate acid, as a pH regulator and complexing agent simultaneously and thioacetamide (CH3 CSNH2) as a sulfating agent. The optimal concentration ratios of the reagents in the working solution, the value of temperature and the deposition time for the indium (III) sulfide thin films synthesis with reproducible properties were established. The phase composition, optical properties and surface morphology of obtained films were studied. The influence of the deposition time on the formation of In2S3 thin films with stoichiometric composition with satisfactory optical parameters, surface morphology and thickness was analyzed.
dc.format.extent1-6
dc.format.pages6
dc.identifier.citationДослідження властивостей плівок індію (ІІІ) сульфіду, одержаних методом хімічного осадження / Р. І. Гладь, Р. Р. Гумінілович, П. Й. Шаповал, В. Є. Стаднік, Й. Й. Ятчишин // Chemistry, Technology and Application of Substance. — Lviv : Lviv Politechnic Publishing House, 2018. — Vol 1. — No 1. — P. 1–6.
dc.identifier.citationenInvestigation ofindium (III) sulfide thin films properties obtained by chemichal bath techique / R. I. Hlad, R. R. Guminilovych, P. Y. Shapoval, V. Y. Stadnik, Y. Y. Yatchyshyn // Chemistry, Technology and Application of Substance. — Lviv : Lviv Politechnic Publishing House, 2018. — Vol 1. — No 1. — P. 1–6.
dc.identifier.urihttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/45008
dc.language.isouk
dc.publisherLviv Politechnic Publishing House
dc.relation.ispartofChemistry, Technology and Application of Substance, 1 (1), 2018
dc.relation.references1. Revathi N. Synthesis and physical behaviour of In2S3 films / N. Revathi, P. Prathap, K. T. Ramakrishna Reddy // Applied Surface Science – 2008 – Vol. 254. – P. 5291–5298.
dc.relation.references2. Pawar S. M. Recent status of chemical bath deposited metal chalcogenide and metal oxide thin films / S. M. Pawar, B. S. Pawar, J. H. Kim et. All // Curr. Appl. Phys., vol. 11(2), pp. 117–161, 2011.
dc.relation.references3. Omelianovych А. Effect of post annealing on the characteristics of In2S3 buffer layer grown by chemical bath deposition on a CIGS substrate / A. Omelianovych, J. Hye Kim, L. Larina, B. Tae Ahn // Current Applied Physics. – 2015 –doi: 10.1016/j. cap.2015.08.019.
dc.relation.references4. Likfroman, A. Mise en evidence d’une solution solide de type spinele dance le diagramme de phase du systeme In-S /A. Likfroman // J. Solid State Chemistry. – 1980. –Vol. 34. – P. 353–359.
dc.relation.references5. Asenjo В. Properties of In2S3 thin films deposited onto ITO/glass substrates by chemical bath deposition / B. Asenjo, C. Guille, A. M. Chaparro, E. Saucedo, V. Bermudez, D. Lincot, J. Herreroa, M. T. Gutierrez // Journal of Physics and Chemistry of Solids. – 2010. – 71. – Р. 1629–1633.
dc.relation.references6. Lokhande C. D. Chemical bath deposition of indium sulphide thin films: preparation and characterization / C. D. Lokhande, A. Ennaoui, P. S. Patil1, M. Giersig, K. Diesner, M. Muller, H. Tributsch // Thin Solid Films. – 1999. – 340. – P. 18–23.
dc.relation.references7. Gopinath G. R. Influence of bath temperature on the properties of In2S3 films grown by chemical bath deposition / G. R. Gopinath, R. W. Miles, K. T. Ramakrishna Reddy // Energy procedia. – 2013. – Vol. 34. – P. 399–406.
dc.relation.references8. Shang G. H., Kunze K., HampdenSmith M. J., Duesler E. N. Chem. Vapor Depos. 2(1996) 242.
dc.relation.references9. Лурье Ю. Ю. Справочник по аналитической химии / Ю. Ю. Лурье. – М.: Химия, 1971. 10. Gao Z. Investigation on growth of In2S3 thin films by chemical bath deposition / Z. Gao, J. Liu, H. Wang // Materials Science in Semiconductor Processing. – 2012. – Vol. 15. – Р. 187–193.
dc.relation.referencesen1. Revathi N. Synthesis and physical behaviour of In2S3 films, N. Revathi, P. Prathap, K. T. Ramakrishna Reddy, Applied Surface Science – 2008 – Vol. 254, P. 5291–5298.
dc.relation.referencesen2. Pawar S. M. Recent status of chemical bath deposited metal chalcogenide and metal oxide thin films, S. M. Pawar, B. S. Pawar, J. H. Kim et. All, Curr. Appl. Phys., vol. 11(2), pp. 117–161, 2011.
dc.relation.referencesen3. Omelianovych A. Effect of post annealing on the characteristics of In2S3 buffer layer grown by chemical bath deposition on a CIGS substrate, A. Omelianovych, J. Hye Kim, L. Larina, B. Tae Ahn, Current Applied Physics, 2015 –doi: 10.1016/j. cap.2015.08.019.
dc.relation.referencesen4. Likfroman, A. Mise en evidence d’une solution solide de type spinele dance le diagramme de phase du systeme In-S /A. Likfroman, J. Solid State Chemistry, 1980. –Vol. 34, P. 353–359.
dc.relation.referencesen5. Asenjo V. Properties of In2S3 thin films deposited onto ITO/glass substrates by chemical bath deposition, B. Asenjo, C. Guille, A. M. Chaparro, E. Saucedo, V. Bermudez, D. Lincot, J. Herreroa, M. T. Gutierrez, Journal of Physics and Chemistry of Solids, 2010, 71, R. 1629–1633.
dc.relation.referencesen6. Lokhande C. D. Chemical bath deposition of indium sulphide thin films: preparation and characterization, C. D. Lokhande, A. Ennaoui, P. S. Patil1, M. Giersig, K. Diesner, M. Muller, H. Tributsch, Thin Solid Films, 1999, 340, P. 18–23.
dc.relation.referencesen7. Gopinath G. R. Influence of bath temperature on the properties of In2S3 films grown by chemical bath deposition, G. R. Gopinath, R. W. Miles, K. T. Ramakrishna Reddy, Energy procedia, 2013, Vol. 34, P. 399–406.
dc.relation.referencesen8. Shang G. H., Kunze K., HampdenSmith M. J., Duesler E. N. Chem. Vapor Depos. 2(1996) 242.
dc.relation.referencesen9. Lure Iu. Iu. Spravochnik po analiticheskoi khimii, Iu. Iu. Lure, M., Khimiia, 1971. 10. Gao Z. Investigation on growth of In2S3 thin films by chemical bath deposition, Z. Gao, J. Liu, H. Wang, Materials Science in Semiconductor Processing, 2012, Vol. 15, R. 187–193.
dc.rights.holder© Національний університет „Львівська політехніка“, 2018
dc.rights.holder© Гладь Р. І., Гумінілович Р. Р., Шаповал П. Й., Стаднік В. Є., Ятчишин Й. Й., 2018
dc.subjectтонкі плівки
dc.subjectхімічне осадження
dc.subjectсульфід індію
dc.subjectтіоацетамід
dc.subjectморфологія поверхні
dc.subjectthin films
dc.subjectchemical deposition
dc.subjectindium sulfide
dc.subjectthioacetamide
dc.subjectof the surface morphology
dc.titleДослідження властивостей плівок індію (ІІІ) сульфіду, одержаних методом хімічного осадження
dc.title.alternativeInvestigation ofindium (III) sulfide thin films properties obtained by chemichal bath techique
dc.typeArticle

Files

Original bundle

Now showing 1 - 2 of 2
Thumbnail Image
Name:
2018v1n1_Hlad_R_I-Investigation_ofindium_III_sulfide_1-6.pdf
Size:
1.31 MB
Format:
Adobe Portable Document Format
Download
Thumbnail Image
Name:
2018v1n1_Hlad_R_I-Investigation_ofindium_III_sulfide_1-6__COVER.png
Size:
391.48 KB
Format:
Portable Network Graphics
Download

License bundle

Now showing 1 - 1 of 1
No Thumbnail Available
Name:
license.txt
Size:
3.13 KB
Format:
Plain Text
Description:
Download

Collections

Chemistry, Technology and Application of Substances. – 2018. – Vol. 1, No. 1