CdTe як пасивувальний шар в гетероструктурі CdTe/HgCdTe
No Thumbnail Available
Date
2006
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Видавництво Національного університету "Львівська політехніка"
Abstract
Під час виготовлення фотодетекторів на основі Hg1-хCdхTe використовують і гетероструктури цих матеріалів у вигляді тонких шарів, наприклад CdTe/Hg1-хCdхTe. У цій роботі досліджували гетероструктури – пасивувальний шар CdTe (з полікристальною і монокристальною структурами) та активну монокристалічну плівку Hg1-хCdхTe, отримані методом молекулярно-променевої епітаксії. Cтруктуру пасивувальних шарів досліджували методом дифракції електронів високих енергій на відбиття. Для вивчення впливу структури пасивувального покриття на властивості активного шару застосовували метод X-променевої дифрактометрії. Виміряно сталу кристалічної решітки активного шару плівки. Механічні властивості гетероструктур досліджували методом мікротвердості. Подано електрофізичні та фотоелектричні параметри епітаксійних плівок Hg1 хCdхTe. There is an increasing interest in the use of CdTe and Hg1-xCdxTe compounds as a base for infrared detectors. Thin films heterostructures CdTe/ Hg1-xCdxTe are very often used in the photodetectors fabrication process. In present work we investigated he-terostructures consisting of molecular beam epitaxy grown monocrystalline Hg1-xCdxTe active film with either monocrystalline or polycrystalline passivation CdTe layer. The structural properties and surface morphology of passivating layers were studied by reflection high-energy electron diffraction method. The influence of passivation layer structure on the properties of active film was also studied by means of XRD technique and the lattice parameter of active layer was determined. The mechanical properties of heterostuctures were investigated by microhardness method. Electrophysical and photoelectric parameters of epitaxial Hg1-xCdxTe films were measured.
Description
Keywords
Citation
CdTe як пасивувальний шар в гетероструктурі CdTe/HgCdTe / І. В. Курило, І. О. Рудий, І. Є. Лопатинський, І. С. Вірт, Ф. Ф. Сизов3, Н. Н. Михайлов // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2006. – № 558 : Електроніка. – С. 14–19. – Бібліографія: 11 назв.