Кінетичні властивості напівпровідникових кристалів з ізотропними законами дисперсії

Simple item page
dc.contributor.authorБуджак, Я. С.
dc.date.accessioned2014-03-20T13:57:23Z
dc.date.available2014-03-20T13:57:23Z
dc.date.issued2013
dc.description.abstractПоказано, що важливі кінетичні властивості провідних кристалів спричинені умовами дрейфу носіїв зарядів міжвузлями кристалічної ґратки. In this paper it is shown that the important kinetic properties of the conducting crystals are determined by the conditions of the charge carriers drift throw the interstitials of the crystal lattice.uk_UA
dc.identifier.citationБуджак Я. С. Кінетичні властивості напівпровідникових кристалів з ізотропними законами дисперсії / Я. С. Буджак // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2013. – № 764 : Електроніка. – С. 7–12. – Бібліографія: 6 назв.uk_UA
dc.identifier.urihttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/24018
dc.language.isouauk_UA
dc.publisherВидавництво Львівської політехнікиuk_UA
dc.subjectнапівпровідниковий кристалuk_UA
dc.subjectтранспортні властивостіuk_UA
dc.subjectкінетичні коефіцієнтиuk_UA
dc.subjectзакон дисперсії Кейнаuk_UA
dc.subjectsemiconductor crystaluk_UA
dc.subjecttransport propertiesuk_UA
dc.subjectkinetic coefficientsuk_UA
dc.subjectKeyn’s dispersion lawuk_UA
dc.titleКінетичні властивості напівпровідникових кристалів з ізотропними законами дисперсіїuk_UA
dc.title.alternativeKinetic properties of semiconductor crystalwith isotropic dispersion lawuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Files

Original bundle

Now showing 1 - 1 of 1
Thumbnail Image
Name:
3-7-12.pdf
Size:
274.39 KB
Format:
Adobe Portable Document Format
Description:
Download

Collections

Електроніка. – 2013. – №764