Опромінення високоенергетичними електронами тонкоплівкових та монокристалічних мікросенсорів на основі InSb
No Thumbnail Available
Date
2006
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Видавництво Національного університету "Львівська політехніка"
Abstract
Досліджено вплив електронного опромінення при 300К на параметри тонкоплівкових та монокристалічних мікросенсорів на основі легованого InSb. Отримано концентраційні та дозові залежності відносної зміни концентрації носіїв заряду в досліджуваних матеріалах під дією електронного опромінення. Обговорюються особливості зміни параметрів тонкоплівкових та монокристалічних мікросенсорів під дією опромінення. Проведеним ізохронним відпалом досліджено стійкість радіаційних дефектів в InSb. The investigation of the electron irradiation effect on the parameters of thin film and monocrystalline microsensors based on the doped InSb was performed at 300K. The dependence of the charge carrier concentration relative change on initial concentration and irradiation dose in the material under investigation was obtained under the electron irradiation. The peculiarities of the variations in the thin film and monocrystalline microsensors’ parameters under irradiation were discussed. By means of the isochronous annealing the stability of radiation defects in InSb was studied.
Description
Keywords
Citation
Опромінення високоенергетичними електронами тонкоплівкових та монокристалічних мікросенсорів на основі InSb / І. А. Большакова, О. Ю. Макідо, Т. А. Московець, Ф. М. Шуригін, Н. В. Ковальова // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2006. – № 558 : Електроніка. – С. 108–112. – Бібліографія: 12 назв.