Using the thermal-field measurements for evaluate the parameters of the mc on the base of AS
| dc.contributor.author | Kychak, Vasyl | |
| dc.contributor.author | Slobodian, Ivan | |
| dc.date.accessioned | 2012-09-17T11:41:28Z | |
| dc.date.available | 2012-09-17T11:41:28Z | |
| dc.date.issued | 2012 | |
| dc.description.abstract | In this paper the thermal-field measurements for evaluating the parameters of the memory cells (MC) based on amorphous semiconductors (AS) are used for the analysis of the temperature dependence of differential electrical conductivity of memory cells. | uk_UA |
| dc.identifier.citation | Kychak V. Using the thermal-field measurements for evaluate the parameters of the mc on the base of AS / Vasyl Kychak, Ivan Slobodian // Сучасні проблеми радіоелектроніки, телекомунікацій, компютерної інженерії : матеріали ХІ Міжнародної конференції TCSET2012, присвяченої 60-річчю заснування радіотехнічного факультету у Львівській політехніці, 21-24 лютого 2012 року, Львів, Славське, Україна / Національний університет «Львівська політехніка». – Львів : Видавництво Львівської політехніки, 2012. – С. 153. – Bibliography: 3 titles. | uk_UA |
| dc.identifier.uri | https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/14372 | |
| dc.language.iso | en | uk_UA |
| dc.publisher | Видавництво Львівської політехніки | uk_UA |
| dc.subject | Memory cell | uk_UA |
| dc.subject | amorphous semi-conductors | uk_UA |
| dc.subject | electrical conductivity | uk_UA |
| dc.title | Using the thermal-field measurements for evaluate the parameters of the mc on the base of AS | uk_UA |
| dc.type | Article | uk_UA |