Формування потенціального профілю в матриці GaAs квантовими точками InAs
No Thumbnail Available
Date
2003
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Abstract
Побудована модель когрентно-напруженої квантової точки. Розраховано вплив неоднорідної деформації, яка є на межі розділення квантової точки і гетероепітаксійного шару, та розмірів КТ на глибину і профіль потенціальної ями для електронів і дірок у гетеросистемі з квантовими точками.The model of a coherent-strained quantum point is constructed. Influence of nonuniform deformation, which is on border of the unit of a quantum point and heteroepitaxial layer, and the sizes of a quantum point on depth and a structure of a potential hole forelectrons and holes at heterostructure with quantum points, is designed.
Description
Keywords
Citation
Даньків О. О. Формування потенціального профілю в матриці GaAs квантовими точками InAs / О. О. Даньків, Р. М. Пелещак, Б. М. Пелещак // Вісник Національного університету «Львівська політехніка». – 2003. – № 482 : Електроніка. – С. 126–134. – Бібліографія: 16 назв.