Розрахунок екситонних станів у кристалах із фівазівським законом дисперсії носіїв зарядів
No Thumbnail Available
Date
2001
Authors
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Видавництво Національного університету "Львівська політехніка"
Abstract
Розглянуто екситонні стани у шаруватому напівпровіднику, електронний та дірковий спектри якого описуються законами дисперсії Фіваза. Показано, що це завдання зводиться до розв'язання диференціального рівняння, яке містить операторні ланцюгові дроби. Розглянуто часткові випадки цього рівняння. Exiton states are considered for the layer semiconductor with Fivas dispersion laws for electrons and holes. It is shown, that the problem of the exiton spectrum calculation for these crystals come to the differential equation with operators chain fractions. The special cases of this equation are also considered.
Description
Keywords
Citation
Бурий O. A. Розрахунок екситонних станів у кристалах із фівазівським законом дисперсії носіїв зарядів / О. А. Бурий, О. О. Данилевич // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2001. – № 423 : Електроніка. – С. 97–105. – Бібліографія: 10 назв.