Розрахунок екситонних станів у кристалах із фівазівським законом дисперсії носіїв зарядів
| dc.citation.journalTitle | Електроніка | |
| dc.contributor.affiliation | Національний університет “Львівська політехніка” | uk_UA |
| dc.contributor.author | Бурий, O. A. | |
| dc.contributor.author | Данилевич, О. О. | |
| dc.coverage.country | UA | uk_UA |
| dc.coverage.placename | Львів | uk_UA |
| dc.date.accessioned | 2018-08-17T07:41:28Z | |
| dc.date.available | 2018-08-17T07:41:28Z | |
| dc.date.issued | 2001 | |
| dc.description.abstract | Розглянуто екситонні стани у шаруватому напівпровіднику, електронний та дірковий спектри якого описуються законами дисперсії Фіваза. Показано, що це завдання зводиться до розв'язання диференціального рівняння, яке містить операторні ланцюгові дроби. Розглянуто часткові випадки цього рівняння. Exiton states are considered for the layer semiconductor with Fivas dispersion laws for electrons and holes. It is shown, that the problem of the exiton spectrum calculation for these crystals come to the differential equation with operators chain fractions. The special cases of this equation are also considered. | uk_UA |
| dc.format.pages | 97–105 | |
| dc.identifier.citation | Бурий O. A. Розрахунок екситонних станів у кристалах із фівазівським законом дисперсії носіїв зарядів / О. А. Бурий, О. О. Данилевич // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2001. – № 423 : Електроніка. – С. 97–105. – Бібліографія: 10 назв. | uk_UA |
| dc.identifier.uri | https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/42506 | |
| dc.language.iso | uk | uk_UA |
| dc.publisher | Видавництво Національного університету "Львівська політехніка" | uk_UA |
| dc.relation.references | 1. Беленький Г.Л., Стопачинский В.Б. // УФИ, 1983. — 140. - C. 233. 2. Нокс Р. Теория экситонов. - М., 1966. 3. Fivas R., Mosser E. // Phys. Rev., 1964. - 136, ЗА. - P. 833. 4. Fivas R // J. Phys. and Chem. Solids., 1967. - 28, 4. - P. 839. 5. Данилевич-ТовстюкK.K., Лукиянец Б.А. //ЖЭТФ, 1981. - 48, №3. - C. 428. 6. Jacobsen L., Thron WJ, Wäadeland H. // Analytic theory of continued fractions III, Springer-Verlag., 1989. - P. 25—47. 7. Shinada M., Sugano S. // J. Phys. Soc. Japan, 1966. - 21, - P.1936. 8. Зинец О.С., Сугаков В.И., Супрун А.Д. // ФТП, 1976. - 10, №я4. - С. 712. 9. Демидович Б.П., Марон И.А. Основы вычислительной мате матики. - М., 1963. 10. Григорчук Н.И. Форма экситонных полос поглощения и дисперсии света для кристаллов типа CdS. - K., 1976. | uk_UA |
| dc.rights.holder | © Бурий O. A., Данилевич О. О., 2001 | uk_UA |
| dc.subject.udc | 537.311.33 | uk_UA |
| dc.title | Розрахунок екситонних станів у кристалах із фівазівським законом дисперсії носіїв зарядів | uk_UA |
| dc.title.alternative | Tte exitons states calculations for these crystals with the charge carriers Fivas dispersion law | uk_UA |
| dc.type | Article | uk_UA |
Files
Original bundle
1 - 1 of 1