Моделювання фізико-хімічних процесів росту та комплексного легування напівпровідникових мікрокристалів

Abstract

Проведено термодинамічне моделювання технологічних умов отримання мікрокристалів InAs та InSb з використанням комплексного металургійного легування під час їх росту за методом хімічних транспортних реакцій в закритій йодидній системі. Визначено рівноважний склад газової фази систем InA s-Sn-I2 та InSb-Sn-I2. Проведено кількісний розрахунок парціальних тисків компонентів газової фази досліджуваних систем та встановлено вплив домішок Sn і Сг на рівноважний склад газової фази базових систем. Визначені оптимальні технологічні режими вирощування мікрокристалів InAs та InSb, які підтверджені експериментально. Thermodynamic modeling of technological conditions for obtaining InAs and InSb microcrystals with the use of complex metallurgical doping during their growth by means of chemical transport reactions in the closed iodide system was performed. Equilibrium compositions of gas phase for InA s-Sn-I2 and InSb-Sn-I2 systems were determined. Quantitative calculation of partial pressures of gas phase components for the studied systems was performed and influence of Sn and Cr impurities was determined upon the equilibrium composition of gas phase for the basic systems. Experimentally confirmed optimal technological modes for InAs and InSb microcrystal growth were determined.