Study barrier structures on the base of nickel phthalocyanine thin films during interaction with ammonia medium

Abstract

Методом термовакуумного напилення наносилися на прозорі електропровідні підкладки (Indium tin oxide (ITO)) тонкі плівки органічного молекулярного напівпровідника фталоціаніну нікелю (NiPc), a поліморфної модифікації, що володіють високою чутливістю до дії газових середовищ. На основі цих плівок були сформовані бар’єрні структури ITO/NiPc/Al та ITO/NiPc/Ni. Виявлено та досліджено ефект електрогенерації в структурі ITO/NiPc/Al під дією газового середовища аміаку. Показано, що виникнення струму короткого замикання та напруги холостого ходу спостерігається тільки в структурі ITO/NiPc/Al, що може бути зумовлено перебігом окисно-відновних реакцій в ній. Це підтверджується відсутністю електрогенерації в структурі ITO/NiPc/Ni, в якій перебіг таких окисно-відновних-реакцій є неможливим. Показано, що наявність вологи в аміачній атмосфері призводить до істотного відгуку електричного опору структури ITO/NiPc/Ni. The barrier structures on the base of organic molecular semiconductor nickel phthalocyanine (NiPc) thin films are studied. Interaction of the thin films with gaseous ammonia medium leads to change in their electrical conductivity. Short circuit current and open circuit voltage in the barrier structure result from oxidation-reduction reactions with gaseous ammonia.