Особливості відпалу А-центрів у n-Si при високотемпературному електронному опроміненні

dc.contributor.authorКрайчинський, А. М.
dc.contributor.authorКрасько, М. М.
dc.contributor.authorКолосюк, А. Г.
dc.contributor.authorВойтович, В. В.
dc.contributor.authorПетруня, Р. В.
dc.contributor.authorПоварчук, В. Ю.
dc.contributor.authorРуденко, Р. Н.
dc.date.accessioned2013-04-12T12:02:33Z
dc.date.available2013-04-12T12:02:33Z
dc.date.issued2012
dc.identifier.citationОсобливості відпалу А-центрів у n-Si при високотемпературному електронному опроміненні / А. М. Крайчинський, М. М. Красько, А. Г. Колосюк, В. В. Войтович, Р. В. Петруня, В. Ю. Поварчук, Р. Н. Руденко // Десята відкрита наукова конференція Інституту прикладної математики та фундаментальних наук (ІМФН) : збірник матеріалів та програма конференції PSC-IMFS-10, 17–18 травня 2012 року (Львів, Україна) / Національний університет “Львівська політехніка”, Інститут прикладної математики та фундаментальних наук. – Львів : Видавництво Львівської політехніки, 2012. – C. D.2–D.3. – Бібліографія: 1 назва.uk_UA
dc.identifier.urihttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/18063
dc.language.isouauk_UA
dc.publisherВидавництво Львівської політехнікиuk_UA
dc.titleОсобливості відпалу А-центрів у n-Si при високотемпературному електронному опроміненніuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Files

Original bundle

Now showing 1 - 1 of 1
Thumbnail Image
Name:
95-Kraychynsky-D2-D3.pdf
Size:
296.24 KB
Format:
Adobe Portable Document Format

License bundle

Now showing 1 - 1 of 1
No Thumbnail Available
Name:
license.txt
Size:
2.06 KB
Format:
Item-specific license agreed upon to submission
Description: