Прогнозування термометричних характеристик Zr1-xНоxNiSn на основі результатів розрахунків розподілу електронної густини
| dc.contributor.author | Крайовський, Р. | |
| dc.contributor.author | Ромака, В. | |
| dc.date.accessioned | 2011-03-15T10:49:27Z | |
| dc.date.available | 2011-03-15T10:49:27Z | |
| dc.date.issued | 2010 | |
| dc.description.abstract | Досліджено вплив акцепторної домішки Но на зміну кристалічної та електронної структур інтерметалічного напівпровідника n-ZrNiSn у концентраційному діапазоні х(Но) = 0 ÷ 0,50. Зроблені висновки про характер поведінки рівня Фермі (εF ) Zr1-xНоxNiSn, механізми керування положенням εF та особливості функцій перетворення резистивних та термоелектричних термоелементів. | uk_UA |
| dc.identifier.citation | Крайовський Р. Прогнозування термометричних характеристик Zr1-xНоxNiSn на основі результатів розрахунків розподілу електронної густини / Р. Крайовський, В. Ромака // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2010. – № 665 : Автоматика, вимірювання та керування. – С. 69–74. – Бібліографія: 5 назв. | uk_UA |
| dc.identifier.uri | https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/7977 | |
| dc.language.iso | ua | uk_UA |
| dc.publisher | Видавництво Національного університету “Львівська політехніка” | uk_UA |
| dc.title | Прогнозування термометричних характеристик Zr1-xНоxNiSn на основі результатів розрахунків розподілу електронної густини | uk_UA |
| dc.type | Article | uk_UA |