Вплив типу та локалізації дефекту в транзисторах на шумові параметри підсилювачів
Loading...
Files
Date
2001
Authors
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Видавництво Національного університету «Львівська політехніка»
Abstract
Представлено аналітичні дослідження впливу типу і розташування дефектів транзистора на шумові параметри підсилювача за умови моделювання канонічною еквівалентною шумовою схемою. Запропоновано два узагальнюючі діагностуючі параметри, які мають найбільшу чутливість до дефектів. Analytical investigation of influence of transistor defects type and localization on noise parameters of amplifiers are presented using modeling by the canonical equivalent noise scheme. Two generalized diagnostics parameters giving the highest sensitivity to defects are proposed.
Description
Keywords
Citation
Нічога В. Вплив типу та локалізації дефекту в транзисторах на шумові параметри підсилювачів / Віталій Нічога, Олег Остап, Петро Дуб // Вісник Державного університету «Львівська політехніка». – 2001. – № 428 : Хімія, технологія речовин та їх застосування. – С. 74–82. – Бібліографія: 24 назви.