Зміна зарядового стану йонів ітербію у сильноактивованих кристалах та епітаксійних плівках Yb:Y3Al3o12

Abstract

Наведено результати вивчення впливу домішок на перезарядку йонів Yb3+ « Yb2+ під час термохімічних обробок у кристалах Yb:Y3Al5O12 (Yb:ІАГ). Засобами оптичної спектроскопії та вимірюванням часу життя верхнього лазерного рівня досліджено монокристали Yb:Y3Al5O12, Yb3Al5O12 (YbAГ), Ni:Yb3Al5O12, K:Yb3Al5O12, вирощені за методом Чохральського, а також монокристалічні плівки Yb:ІАГ, одержані методом рідинно-фазної епітаксії. Встановлено, що процес відновлення Yb3+ ® Yb2+ в Yb:ІАГ може бути реверсивним або нереверсивним, залежно від наявності в кристалі легуючих або неконтрольованих домішок. In this communication we report about our study on the influence of impurities on recharge processes Yb3+ « Yb2+ under thermo-chemical treatments in Yb:Y3Al5O12 (Yb:YAG) crystals and films. Single crystals of Yb:Y3Al5O12, Yb3Al5O12 (YbAG), Ni:Yb3Al5O12, K:Yb3Al5O12 grown by Czochralski- technique as well as single crystalline films of Yb:Y3Al5O12 grown by liquid phase epitaxy were investigated by means of fluorescence lifetime measurements and optical spectrometry. It was found, that the reduction process Yb3+ ® Yb2+ in Yb:YAG can be reversible or non-reversible depending on the presence of additional (doping or impurity) ions.