Моделювання фізико-хімічних процесів росту кристалів твердого розчину InAs-GaAs

Simple item page
dc.contributor.authorБольшакова, І. А.
dc.contributor.authorКость, Я. Я.
dc.contributor.authorМакідо, О. Ю.
dc.contributor.authorСтецко, Р. М.
dc.contributor.authorШвець, О. В.
dc.contributor.authorШуригін, Ф. М.
dc.date.accessioned2012-02-20T15:27:17Z
dc.date.available2012-02-20T15:27:17Z
dc.date.issued2011
dc.description.abstractВиконано термодинамічне моделювання технологічних умов отримання мікро-кристалів InAs-GaAs за методом хімічних транспортних реакцій у хлоридній системі. Визначено рівноважний склад газової фази такої системи. Проведено кількісний розрахунок парціальних тисків компонентів газової фази досліджуваної системи. Визначені оптимальні технологічні режими вирощування мікрокристалів твердого розчину InAs-GaAs.галію. Thermodynamic modeling of technological conditions for obtaining InAs-GaAs microcrystals by the method of chemical transport reaction in chloride system was performed. Equilibrium composition of gas phase for such system was determined. Quantitative calculation of partial pressures of gas phase components for the studied system was performed. Optimal technological modes for growing InAs-GaAs solid solution microcrystals were determined.uk_UA
dc.identifier.citationМоделювання фізико-хімічних процесів росту кристалів твердого розчину InAs-GaAs / І. А. Большакова, Я. Я. Кость, О. Ю. Макідо, Р. М. Стецко, О. В. Швець, Ф. М. Шуригін // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2011. – № 708 : Електроніка. – С. 99–104. – Бібліографія: 9 назв.uk_UA
dc.identifier.urihttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/11531
dc.language.isouauk_UA
dc.publisherВидавництво Львівської політехнікиuk_UA
dc.subjectмоделюванняuk_UA
dc.subjectтвердий розчинuk_UA
dc.subjectмікрокристалиuk_UA
dc.subjectарсенід індіюuk_UA
dc.subjectарсенід галіюuk_UA
dc.subjectsolid solutionuk_UA
dc.subjectmodelinguk_UA
dc.subjectmicrocrystalsuk_UA
dc.subjectindium arsenideuk_UA
dc.subjectgallium arsenideuk_UA
dc.titleМоделювання фізико-хімічних процесів росту кристалів твердого розчину InAs-GaAsuk_UA
dc.title.alternativeSimulation of physical and chemical processes of growing In-As-GaAs solid solution crystalsuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Files

Original bundle

Now showing 1 - 1 of 1
Thumbnail Image
Name:
15.pdf
Size:
723.22 KB
Format:
Adobe Portable Document Format
Download

Collections

Електроніка. – 2011. – №708