Ударна обробка структур Hg1-xCdxTe/CdTe
No Thumbnail Available
Date
2003
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Вісник Національного університету "Львівська політехніка"
Abstract
На прикладі структури Hg1-xCdx Te/CdTe розглянуто результати досліджень впливу лазерних ударних хвиль на вузькощілинні напівпровідники за наявності великої кількості макронеоднорідностей, а також на границю розділення епітаксійний шар- підкладка. Встановлено, що ударна обробка є ефективним засобом зменшення відносного об'єму виділень іншої фази в напівпровідниках, а сама методика є перспективною в сенсі створення технологічного методу низькотемпературної модифікації параметрів напівпровідникових приладних структур. On the example of Hg1-xCdx Te/CdTe structure the result of study laser shock wave affect on the narrow-gap semiconductors with hight density of inhomogeneties as well as on epitaxial layer substrate interface are presented. It is found that shock wave treatment is an effective way to reduse the relative volume precipitates in semiconductors. While the technique is very promising for developing a low-temperature tool for modification device structures parameters.
Description
Keywords
Citation
Яковина В. С. Ударна обробка структуриHg1-xCdx Te/CdTe / В. С. Яковина, М. М. Берченко, Г. А. Ільчук, Н. А. Українець // Вісник Національного університету «Львівська політехніка». – 2003. – № 482 : Електроніка. – С. 80–85. – Бібліографія: 15 назв.