Ударна обробка структур Hg1-xCdxTe/CdTe

dc.contributor.authorЯковина, В. С.
dc.contributor.authorБерченко, М. М.
dc.contributor.authorІльчук, Г. А.
dc.contributor.authorУкраїнець, Н. А.
dc.date.accessioned2015-12-24T08:31:40Z
dc.date.available2015-12-24T08:31:40Z
dc.date.issued2003
dc.description.abstractНа прикладі структури Hg1-xCdx Te/CdTe розглянуто результати досліджень впливу лазерних ударних хвиль на вузькощілинні напівпровідники за наявності великої кількості макронеоднорідностей, а також на границю розділення епітаксійний шар- підкладка. Встановлено, що ударна обробка є ефективним засобом зменшення відносного об'єму виділень іншої фази в напівпровідниках, а сама методика є перспективною в сенсі створення технологічного методу низькотемпературної модифікації параметрів напівпровідникових приладних структур. On the example of Hg1-xCdx Te/CdTe structure the result of study laser shock wave affect on the narrow-gap semiconductors with hight density of inhomogeneties as well as on epitaxial layer substrate interface are presented. It is found that shock wave treatment is an effective way to reduse the relative volume precipitates in semiconductors. While the technique is very promising for developing a low-temperature tool for modification device structures parameters.uk_UA
dc.identifier.citationЯковина В. С. Ударна обробка структуриHg1-xCdx Te/CdTe / В. С. Яковина, М. М. Берченко, Г. А. Ільчук, Н. А. Українець // Вісник Національного університету «Львівська політехніка». – 2003. – № 482 : Електроніка. – С. 80–85. – Бібліографія: 15 назв.uk_UA
dc.identifier.urihttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/30935
dc.language.isouauk_UA
dc.publisherВісник Національного університету "Львівська політехніка"uk_UA
dc.titleУдарна обробка структур Hg1-xCdxTe/CdTeuk_UA
dc.title.alternativeShock wave treatment of Hg1-xCdx Te/CdTe structuresuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Files

Original bundle
Now showing 1 - 1 of 1
No Thumbnail Available
Name:
12-80-85.pdf
Size:
553.91 KB
Format:
Adobe Portable Document Format