Аналіз доцільності побудови сенсорів мікроелектромеханічних систем на активних напівпровідникових елементах

dc.contributor.authorМатвійків, М. Д.
dc.contributor.authorЛобур, М. В.
dc.contributor.authorТеслюк, В. М.
dc.contributor.authorМатвійків, Т. М.
dc.date.accessioned2015-12-21T13:43:44Z
dc.date.available2015-12-21T13:43:44Z
dc.date.issued2006
dc.description.abstractПроаналізовано доцільність побудови сенсорів мікроелектромеханічних систем (МЕМСів) на активних напівпровідникових елементах–діодах та транзисторах. Analyzed expediency the structure of the microelectromechanical systems (MEMS) sensors on the active semiconductors - diodes and the transistors.uk_UA
dc.identifier.citationАналіз доцільності побудови сенсорів мікроелектромеханічних систем на активних напівпровідникових елементах / М. Д. Матвійків, М. В. Лобур, В. М. Теслюк, Т. М. Матвійків // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2006. – № 557 : Радіоелектроніка та телекомунікації. – С. 20–24. – Бібліографія: 3 назви.uk_UA
dc.identifier.urihttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/30730
dc.language.isouauk_UA
dc.publisherВидавництво Національного університету "Львівська політехніка"uk_UA
dc.titleАналіз доцільності побудови сенсорів мікроелектромеханічних систем на активних напівпровідникових елементахuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Files

Original bundle

Now showing 1 - 1 of 1
Thumbnail Image
Name:
Vis_557.20-24.pdf
Size:
549.21 KB
Format:
Adobe Portable Document Format

License bundle

Now showing 1 - 1 of 1
No Thumbnail Available
Name:
license.txt
Size:
1.71 KB
Format:
Item-specific license agreed upon to submission
Description: