Express method of threshold voltage control of dmos transistors in the process of their manufacturing
| dc.contributor.author | Politansky, Leonid | |
| dc.contributor.author | Lesinsky, Valentin | |
| dc.date.accessioned | 2016-10-27T06:56:04Z | |
| dc.date.available | 2016-10-27T06:56:04Z | |
| dc.date.issued | 2012 | |
| dc.description.abstract | There is shown the use of test structure for DMOSstructure threshold voltage control and correction. | uk_UA |
| dc.identifier.citation | Politansky L. Express method of threshold voltage control of dmos transistors in the process of their manufacturing / Leonid Politansky, Valentin Lesinsky // Сучасні проблеми радіоелектроніки, телекомунікацій, комп’ютерної інженерії : матеріали ХІ Міжнародної конференції TCSET2012, присвяченої 60-річчю заснування радіотехнічного факультету у Львівській політехніці, 21-24 лютого 2012 року, Львів, Славське, Україна / Національний університет «Львівська політехніка». – Львів : Видавництво Львівської політехніки, 2012. – С. 448. – Bibliography: 2 titles. | uk_UA |
| dc.identifier.uri | https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/34295 | |
| dc.language.iso | en | uk_UA |
| dc.publisher | Видавництво Львівської політехніки | uk_UA |
| dc.subject | DMOS Transistors | uk_UA |
| dc.subject | Threshold Voltage | uk_UA |
| dc.title | Express method of threshold voltage control of dmos transistors in the process of their manufacturing | uk_UA |
| dc.type | Article | uk_UA |