Модифікація властивостей приповерхневих шарів мішеней HgCdTe лазерним опроміненням у режимі видалення матеріалу

Simple item page
dc.citation.epage41
dc.citation.issue532 : Електроніка
dc.citation.journalTitleВісник Національного університету “Львівська політехніка”
dc.citation.spage33
dc.contributor.affiliationНаціональний університет “Львівська політехніка”
dc.contributor.affiliationДрогобицький державний педагогічний університет імені Івана Франка
dc.contributor.affiliationНВП “Карат”
dc.contributor.authorЛопатинський, І. Є.
dc.contributor.authorРудий, І. О.
dc.contributor.authorКурило, І. В.
dc.contributor.authorВірт, І. С.
dc.contributor.authorФружинський, М. С.
dc.contributor.authorКемпник, В. І.
dc.contributor.authorLopatynskii, I. Ye.
dc.contributor.authorRudyi, I. O.
dc.contributor.authorKurilo, I. V.
dc.contributor.authorVirt, I. S.
dc.contributor.authorFruginskii, M. S.
dc.contributor.authorKempnyk, V. I.
dc.coverage.placenameЛьвів
dc.coverage.placenameLviv
dc.date.accessioned2020-03-20T07:36:37Z
dc.date.available2020-03-20T07:36:37Z
dc.date.created2005-03-01
dc.date.issued2005-03-01
dc.description.abstractПоверхні Hg1-хCdхTe зразків, які використовують як мішені при імпульсному лазерному осадженні досліджували методами дифракції електронів та растрової електронної мікроскопії. Зразки мішеней опромінювали за допомогою двох лазерів: YAG:Nd3+, ексимерного XeCl із тривалостями імпульсів 10, 20 нс, 100 мкс та 40 нс відповідно та різними лазерними потужностями. Були досліджені електрофізичні та механічні властивості зразків до і після опромінення. Морфологія та структурні властивості досліджених поверхонь сильно залежать від типу лазерного імпульсу та його енергії.
dc.description.abstractThe surfaces of Hg1-хCdхTe samples used as targets in pulsed laser deposition were investigated by electron diffraction method and electron scanning microscopy methods. The samples were modified by two lasers: theYAG:Nd3+ and the excimer XeCl with pulse lengths of 10, 20 ns, 100 µs and 40 ns, respectively, at different laser powers. The electrophysical and mechanical properties of the samples were studied before and after irradiation. The morphological and structural properties of the surface investigated depend strongly on the type of laser pulse and on its energy.
dc.format.extent33-41
dc.format.pages9
dc.identifier.citationМодифікація властивостей приповерхневих шарів мішеней HgCdTe лазерним опроміненням у режимі видалення матеріалу / І. Є. Лопатинський, І. О. Рудий, І. В. Курило, І. С. Вірт, М. С. Фружинський, В. І. Кемпник // Вісник Національного університету “Львівська політехніка”. — Львів : Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005. — № 532 : Електроніка. — С. 33–41.
dc.identifier.citationenSurface modification of laser ablated HgCdTe target / I. Ye. Lopatynskii, I. O. Rudyi, I. V. Kurilo, I. S. Virt, M. S. Fruginskii, V. I. Kempnyk // Visnyk Natsionalnoho universytetu "Lvivska politekhnika". — Lviv : Vydavnytstvo Natsionalnoho universytetu "Lvivska politekhnika", 2005. — No 532 : Elektronika. — P. 33–41.
dc.identifier.urihttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/47521
dc.language.isouk
dc.publisherВидавництво Національного університету “Львівська політехніка”
dc.relation.ispartofВісник Національного університету “Львівська політехніка”, 532 : Електроніка, 2005
dc.relation.references1. Dubowski J.J. // Chemotronics. – 1988. – V.3, № 7. – P. 66 – 76.
dc.relation.references2. Leonid V., Zhigilei I., Barbara J., Garrison J. // Appl. Surface Sci. – 1998.– № 127 – 129. – P. 142– 150.
dc.relation.references3. Man B.Y., Wang X.T., Liu A.H. // J. Appl. Phys. – 1998. – Vol. 83, №7. – P. 3509 – 3513.
dc.relation.references4. Кияк С.Г. // Изв. АН СССР. Сер.физ. – 1982. – Т.45, №6. – С. 1090 – 1096.
dc.relation.references5. Громов Г.Г., Серегин С.В., Жук С.В., Уфимцев В.Б. // Физика и химия обработки материалов. – 1990. – №4. – С. 19 – 22.
dc.relation.references6. Мозоль П.Е., Гнатюк В.А., Сукач А.В., Власенко А.И., Копишинская Е.П., Лукьяненко В.И. // Физ. и техн. полупроводников. – 1993. – Т. 27, №11/12. – С. 1820 – 1829.
dc.relation.references7. Комолов В.Л., Либенсон М.Н., Шандыбина Г.Д.. // Изв. АН СССР. – 1985 –.Т.49, № 6. – С. 1103 – 1110.
dc.relation.references8. Надточій В.О., Голоденко М.М., Калімбет А.З., Москаль Д.С. // Фізика і хімія твердого тіла. – 2003. – Т.4, №3. – С. 556 – 559.
dc.relation.references9. Григорьянц А.Г., Сазонов А.Н. Методы поверхностной лазерной обработки. – М.: ВШ. 1987. – 191 с
dc.relation.references10.Берченко Н.Н., Кревс В.Е., Средин В.Г. Полупроводниковые твердые растворы и их применение .– М.: Воениздат. 1982. – 208 с.
dc.relation.references11.Коротеев Н.И., Шумай И.Л. Физика мощного лазерного излучения. – М.: Наука, 1991. – 312 с.
dc.relation.references12.Голошихин Ю.В., Миронов К.Е., Поляков А.Я. // Поверхность. – 1991. – № 12 – С. 12 – 17.
dc.relation.references13.Ахманов С.А., Емельянов В.И., Коротеев Н.И., Семиногов В.Н. // Усп. физ. наук. – 1985. – Т. 147, № 4. – С. 675 – 746.
dc.relation.references14.Gnatyuk V.A., Vlasenko O.I., Mozol P.E., Gorodnychenko O.S. // Semiconductor Scie. and Technol.. – 1998. V.13, №11. – P. 1298 – 1303.
dc.relation.references15.Тетельбаум Д.И., Менделева Ю.А. // ФТТ.– 2004. – Т.46, №11. – С.1960 – 1963.
dc.relation.references16.Аблова М.С. // Методы испытания на микротвердость. Приборы. М: Наука. – 1965. – С.237 – 244.
dc.relation.references17.БанишевА.Ф., Голубев В.С. Кремнев А.Ю. // Ж. техн. физики. – 2001.– Т.71, №8. – С. 33 – 38.
dc.relation.references18.Бабенцов В.Н., Байдуллаева А., Булах В.М. // Поверхность.Физика, химия, мехаика. – 1988. – №12. – С. 144 – 147.
dc.relation.references19.Tomas D.I. // J. Appl. Phys. Suppl. – 1961. – V.32, №10. – P. 2298 – 2304.
dc.relation.references20.Berlincourt D., Jaffe H., Shiozawa L. P. // Phys. Rev. – 1963. – V.129, №13. – P. 1009 – 1017.
dc.relation.references21.Бабенцов В.Н., Байдуллаева А., Власенко А.И., Горбань С.И. Даулетмуратов Б.К., Мозоль П.Е. // Физ. и техн. полупроводников. – !993. – Т. 27, №10. – С. 1618 – 1623.
dc.relation.references22.Kurilo I.V., Alekhin V.P., Rudyi I.O., Bulychev S.I., Osypyshin L.I. // Phys. Stat. Sol. – 1997 (a), 163. – P.47 – 58.
dc.relation.referencesen1. Dubowski J.J., Chemotronics, 1988, V.3, No 7, P. 66 – 76.
dc.relation.referencesen2. Leonid V., Zhigilei I., Barbara J., Garrison J., Appl. Surface Sci, 1998, No 127 – 129, P. 142– 150.
dc.relation.referencesen3. Man B.Y., Wang X.T., Liu A.H., J. Appl. Phys, 1998, Vol. 83, No 7, P. 3509 – 3513.
dc.relation.referencesen4. Kiiak S.H., Izv. AN SSSR. Ser.fiz, 1982, V.45, No 6, P. 1090 – 1096.
dc.relation.referencesen5. Hromov H.H., Serehin S.V., Zhuk S.V., Ufimtsev V.B., Fizika i khimiia obrabotki materialov, 1990, No 4, P. 19 – 22.
dc.relation.referencesen6. Mozol P.E., Hnatiuk V.A., Sukach A.V., Vlasenko A.I., Kopishinskaia E.P., Lukianenko V.I., Fiz. i tekhn. poluprovodnikov, 1993, V. 27, No 11/12, P. 1820 – 1829.
dc.relation.referencesen7. Komolov V.L., Libenson M.N., Shandybina H.D.., Izv. AN SSSR, 1985 –.V.49, No 6, P. 1103 – 1110.
dc.relation.referencesen8. Nadtochii V.O., Holodenko M.M., Kalimbet A.Z., Moskal D.S., Fizyka i khimiia tverdoho tila, 2003, V.4, No 3, P. 556 – 559.
dc.relation.referencesen9. Hrihoriants A.H., Sazonov A.N. Metody poverkhnostnoi lazernoi obrabotki, M., VSh. 1987, 191 s
dc.relation.referencesen10.Berchenko N.N., Krevs V.E., Sredin V.H. Poluprovodnikovye tverdye rastvory i ikh primenenie , M., Voenizdat. 1982, 208 p.
dc.relation.referencesen11.Koroteev N.I., Shumai I.L. Fizika moshchnoho lazernoho izlucheniia, M., Nauka, 1991, 312 p.
dc.relation.referencesen12.Holoshikhin Iu.V., Mironov K.E., Poliakov A.Ia., Poverkhnost, 1991, No 12 – P. 12 – 17.
dc.relation.referencesen13.Akhmanov S.A., Emelianov V.I., Koroteev N.I., Seminohov V.N., Usp. fiz. nauk, 1985, V. 147, No 4, P. 675 – 746.
dc.relation.referencesen14.Gnatyuk V.A., Vlasenko O.I., Mozol P.E., Gorodnychenko O.S., Semiconductor Scie. and Technol., 1998. V.13, No 11, P. 1298 – 1303.
dc.relation.referencesen15.Tetelbaum D.I., Mendeleva Iu.A., FTT, 2004, V.46, No 11, P.1960 – 1963.
dc.relation.referencesen16.Ablova M.S., Metody ispytaniia na mikrotverdost. Pribory. M: Nauka, 1965, P.237 – 244.
dc.relation.referencesen17.BanishevA.F., Holubev V.S. Kremnev A.Iu., Zh. tekhn. fiziki, 2001, V.71, No 8, P. 33 – 38.
dc.relation.referencesen18.Babentsov V.N., Baidullaeva A., Bulakh V.M., Poverkhnost.Fizika, khimiia, mekhaika, 1988, No 12, P. 144 – 147.
dc.relation.referencesen19.Tomas D.I., J. Appl. Phys. Suppl, 1961, V.32, No 10, P. 2298 – 2304.
dc.relation.referencesen20.Berlincourt D., Jaffe H., Shiozawa L. P., Phys. Rev, 1963, V.129, No 13, P. 1009 – 1017.
dc.relation.referencesen21.Babentsov V.N., Baidullaeva A., Vlasenko A.I., Horban S.I. Dauletmuratov B.K., Mozol P.E., Fiz. i tekhn. poluprovodnikov, !993, V. 27, No 10, P. 1618 – 1623.
dc.relation.referencesen22.Kurilo I.V., Alekhin V.P., Rudyi I.O., Bulychev S.I., Osypyshin L.I., Phys. Stat. Sol, 1997 (a), 163, P.47 – 58.
dc.rights.holder© Національний університет “Львівська політехніка”, 2005
dc.rights.holder© Лопатинський І. Є., Рудий І. О., Курило І. В., Вірт І. С., Фружинський М. С., Кемпник В. І., 2005
dc.subject.udc621.315.592
dc.titleМодифікація властивостей приповерхневих шарів мішеней HgCdTe лазерним опроміненням у режимі видалення матеріалу
dc.title.alternativeSurface modification of laser ablated HgCdTe target
dc.typeArticle

Files

License bundle
Now showing 1 - 1 of 1
No Thumbnail Available
Name:
license.txt
Size:
3.16 KB
Format:
Plain Text
Description:
Download

Collections

Електроніка. – 2005. – №532