Електроніка. – 2005. – №532

Permanent URI for this collection

Вісник Національного університету “Львівська політехніка”

У Віснику опубліковані результати наукові-технічних досліджень в області технологічних, експериментальних, теоретичних та методологічних проблем електроніки, фізики і техніки напівпровідників та напівпровідникового матеріалознавства, фізики твердого тіла, фізики, техніки та використання елементів, приладів та систем сучасної електронної техніки. Тематика вісника Національного університету “Львівська політехніка” “Електроніка” охоплює такі розділи електроніки: матеріали електронної техніки; фізика, технологія та виробництво елементів, приладів та систем електронної техніки; фізика і техніка напівпровідників, металів, діелектриків та рідких кристалів; експериментальні та теоретичні дослідження електронних процесів; методика досліджень. У Віснику “Електроніка” публікуються оглядові та дослідницькі роботи, присвячені його тематиці (але не обмежені лише нею). Роботи можуть бути представлені як співробітниками Львівської політехніки, так і будь-яких інших навчальних чи наукових закладів. Роботи друкуються українською мовою. Для наукових працівників, інженерів і студентів старших курсів електрофізичних та технологічних спеціальностей.

Вісник Національного університету “Львівська політехніка” : [збірник наукових праць] / Міністерство освіти і науки України, Національний університет “Львівська політехніка”. – Львів : Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005. – № 532 : Електроніка / відповідальний редактор Д. Заярчук. – 186 с. : іл.

Вісник Національного університету “Львівська політехніка”

Зміст


1
3
15
21
24
28
33
42
48
54
60
65
68
74
81
85
90
99
105
112
117
126
129
133
138
147
153
160
164
170
178
184

Content


1
3
15
21
24
28
33
42
48
54
60
65
68
74
81
85
90
99
105
112
117
126
129
133
138
147
153
160
164
170
178
184

Browse

Recent Submissions

Now showing 1 - 5 of 32
  • Item
    Розробка системи обробки інформації з мікроелектронних сенсорів на основі КНІ-структур
    (Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005-03-01) Дружинін, А. О.; Матвієнко, С. М.; Панков, Ю. М.; Druzhinin, A. O.; Matviyenko, S. M.; Pankov, Y. M.; Національний університет “Львівська політехніка”
    Описано тенденції розвитку сучасних вимірювальних пристроїв та перспективи використання систем збору та обробки інформації на базі мікроконтролерів фірми CYPRESS для розробки інтелектуальних сенсорів механічних величин. Наведено переваги реалізації сенсорів на основі цих систем над відомими сенсорами. Подано багатофункційний сенсор тиску-температури з цифровою оброкою вимірювальної інформації і передачею її на персональний комп’ютер. Як первинні перетворювачі використано КНІ-структури, які містять міст з чотирьох полікремнійових п’єзорезисторів і одного терморезистора.
  • Item
    Вплив розподілу струму розряду по катоду комірки Пеннінга на рівномірність напилених плівок
    (Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005-03-01) Шандра, З. А.; Shandra, Z. A.; Національний університет “Львівська політехніка”
    Подано результати дослідження розподілу струму розряду по поверхні катода в комірці Пеннінга з прямокутним анодом. Виявлено, що при тиску газу близько 0,01 Па максимальна густина струму спостерігається в центрі катода. У разі збільшення тиску газу зростає густина струму на периферії катода. Розподіл струму по висоті катода можна апроксимувати функцією Jp(h) = n +(1-n) sin(πh/a), де а – розмір катода. Виконано моделювання впливу розподілу струму на рівномірність напилених плівок для різних тисків газу. Аналіз показує, що нерівномірність струму по катоду погіршує рівномірність плівок по товщині на краях підкладки.
  • Item
    Модифікація властивостей приповерхневих шарів мішеней HgCdTe лазерним опроміненням у режимі видалення матеріалу
    (Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005-03-01) Лопатинський, І. Є.; Рудий, І. О.; Курило, І. В.; Вірт, І. С.; Фружинський, М. С.; Кемпник, В. І.; Lopatynskii, I. Ye.; Rudyi, I. O.; Kurilo, I. V.; Virt, I. S.; Fruginskii, M. S.; Kempnyk, V. I.; Національний університет “Львівська політехніка”; Дрогобицький державний педагогічний університет імені Івана Франка; НВП “Карат”
    Поверхні Hg1-хCdхTe зразків, які використовують як мішені при імпульсному лазерному осадженні досліджували методами дифракції електронів та растрової електронної мікроскопії. Зразки мішеней опромінювали за допомогою двох лазерів: YAG:Nd3+, ексимерного XeCl із тривалостями імпульсів 10, 20 нс, 100 мкс та 40 нс відповідно та різними лазерними потужностями. Були досліджені електрофізичні та механічні властивості зразків до і після опромінення. Морфологія та структурні властивості досліджених поверхонь сильно залежать від типу лазерного імпульсу та його енергії.
  • Item
    Керування дефектністю приповерхневих шарів кремнієвої структури через зміну фононного тиску, викликаного проходженням через кристал лазерної ударної хвилі
    (Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005-03-01) Ковалюк, Богдан Павлович; Нікіфоров, Юрій Миколайович; Kovalyuk, B. P.; Nikiforov, Yu. N.; Тернопільський державний технічний університет ім. Івана Пулюя
    Для діапазону температур 290 – 450 К розраховано відносні зміни фононної складової надлишкової сили, що діє на центр розсіяння в матеріалах з різною температурою Дебая з боку лазерної ударної хвилі. Виконані на кремнієвих структурах експерименти показують перспективність керування властивостями приповерхневих шарів твердих тіл при лазерній ударно-хвильовій обробці оптимізацією температурних умов опромінення, що впливають на фононну складову сили, зумовленої ударною хвилею.
  • Item
    Керування концентрацією носіїв заряду в епітаксійних шарах AlGaAs для лазерних структур, вирощуваних методом низькотемпературної рідинно-фазної епітаксії
    (Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005-03-01) Заячук, Д. М.; Круковський, С. І.; Мрихін, І. О.; Zayachuk, D. M.; Krukovsky, S. I.; Mrykhin, I. O.; Національний університет “Львівська політехніка”
    Наведено результати досліджень впливу домішки магнію на концентрацію носіїв заряду в епітаксійних шарах Al0.1Ga0.9As і Al0.28Ga0.72As, вирощених методом НТРФЕ. Показано, що якщо концентрація домішки в розчині-розплаві переважає 0.014 ат %, то концентрація вільних дірок в легованих плівках є вищою за 1·1018 см-3, що достатньо для їх використання як активних і емітерних шарів лазерної гетероструктури. Аналізується залежність результуючої концентрації дірок в епітаксійних шарах від концентрації домішки в розплаві, складу кристалічної матриці та технологічних умов гомогенізації вихідної шихти.