Поляризаційний оператор у температурній техніці функцій Гріна для дихалькогенідів перехідних металів

Abstract

Розраховано залежність дійсної та уявної частин поляризаційного оператора (ПО) від температури та величини міжшарового перемішування у шаруватому напівпровідникові із Фівазовим законом дисперсії. Розрахунок виконують для параметрів GaSe. Показано, що основний внесок поляризаційних ефектів, пов’язаних із електрон-фононною взаємодією, полягає у зростанні розсіювання (зростанні півширини піка поглинання), однак сама півширина для широкої області температур залишатиметься постійною. Окрім того, така взаємодія призведе до незначного зростання частоти фонона, яка монотонно зростатиме із температурою. Зростання параметра міжшарового перемішування одночастинкового спектра електронів практично не впливатиме на поляризаційні ефекти. Dependence of real and imagine parts of polarization operator have been calculated as functions of temperature and of interlayer mixing parameter for layered semiconductors with Fivaz energy dispersions. Calculations were carried out for GaSe datas. It is sgown that the most important contribution of polarization effects coased by electron – phonon interaction form the increasing of dispersion (increasing of half width of resonant peak), but the value of half width is constant for large temperature range. Besides, such interaction leads to the small increasing of phonon frequency, which increases monotony with temperature increasing. The increasing of interlayer mixing parameter does not influent polarization effects.