Контроль параметрів структур “кремній-на-ізоляторі” за даними вольт-фарадних характеристик

Abstract

Подано теоретичнi високочастотнi вольт-фараднi характеристики МДНДН-структури. Показано характер впливу параметрів структури (рiвнiв легування пiдкладки та напiвпровiдникового шару i товщин дiелектричних шарiв) на залежність ємності від напруги. Виконана оцiнка впливу вбудованих зарядiв у дiелектриках на величини змiщення ВФХ по осi напруг. Показана можливість отримання інформації про параметри шарів і стан меж розділу напівпровідник-діелектрик в структурі “кремній–на–ізоляторі” за даними реальних ВФХ. In this work the theoretical high-frequency C – V characteristics of MISIS structure is presented. The character of influence of the structure parameters (dopant level of substract and semiconductor layer, dielectric layers thicknesses) on the volt-capacitance dependence is shown. The influence of dielectric fixed charges on the shift value of C–V characteristic along voltage axes estimated. The possibility of obtaining the information about the layers parameters and semicondutor – insulator interface state in the “silicon-on-insulator” structure according to experimental C–V characteristics is shown.